مهندسی پیشرفته اتصالات داخلی
در عصر PCIe Gen 6، سیگنال‌دهی 112Gbps PAM4 و سخت‌افزارهای فوق متراکم هوش مصنوعی، ویای سوراخ‌شده دیگر صرفاً یک حفره فیزیکی نیست، بلکه یک مولفه حساس از خط انتقال فرکانس بالاست. APTPCB با ارائه معماری سوراخ‌کاری صنعتی با دقت بک‌دریلینگ ±50μm، میکرو‌ویاهای بی‌نقص لیزر UV با قطر 0.075mm برای بردهای Any-Layer HDI، و تلورانس ±0.05mm برای کانکتورهای پرس‌فیت خودرویی، گلوگاه‌های پیچیده اتصالات را برطرف می‌سازد.
تمرکز بر یکپارچگی سیگنال
در سیم‌کشی‌های با تراکم بالا، ویا اغلب منبع اصلی ناپیوستگی امپدانس است. برای معماران سخت‌افزار که تجهیزات تراز اول مراکز داده یا سیستم‌های راداری هوافضا را طراحی می‌کنند، سوراخ‌کاری مکانیکی معمولی ناکافی است. APTPCB سوراخ‌کاری را به عنوان یک فرآیند مهندسی‌شده با هدف حفظ پارامترهای تضعیف بازتابی سیگنال (Return Loss) در نظر می‌گیرد. با به‌کارگیری اسپیندل‌های CNC پرسرعت Schmoll و Hitachi، ما دقت موقعیت‌یابی مطلق نسبت به لایه‌های مس داخلی را تضمین می‌کنیم که به‌طور پویا توسط سیستم‌های موقعیت‌یاب سه‌بعدی X-ray پایش و تایید می‌شود.
کاهش ناپیوستگی‌های امپدانس
سوراخ‌کاری مکانیکی ما تا قطر 0.15 میلی‌متر (6 میل) به‌طور ویژه برای متریال‌های رزینی کم‌تلفات نظیر Megtron 6 و Rogers 4350B کالیبره شده است. ما نرخ براده‌برداری مته و سرعت برگشت ابزار را کنترل می‌کنیم تا از شکستگی الیاف شیشه جلوگیری شود و مستقیماً خطر خرابی ناشی از فیلامنت آندی رسانا (CAF) در آرایه‌های فوق‌متراکم BGA با گام 0.4 میلی‌متر خنثی گردد.
نسبت ابعادی بالا و ابزارآلات تخصصی
برای بک‌پلین‌های ضخیم تا ضخامت 8.0 میلی‌متر، قابلیت معتبر ما در دستیابی به نسبت ابعادی 15:1 تضمین می‌کند که تمامی سوراخ‌های سرتاسری آبکاری‌شده در مرحله آبکاری الکتریکی پالس معکوس، تبادل هیدرودینامیکی کافی مایع را دریافت نمایند. ما همچنین سوراخ‌های پرس‌فیت دقیق با تلورانس ±0.05 میلی‌متر برای اتصالات نفوذناپذیر در برابر گاز ECUهای خودرویی و آرایه‌های متراکم ویای حرارتی جهت انتقال حرارت از ادوات قدرت SiC و GaN ارائه می‌دهیم.
بهینه‌سازی خودکار اسپیندل
جهت کاهش هزینه در تولید انبوه بدون افت دقت، مهندسان CAM ما از بهینه‌سازی خودکار مسیر حرکت ابزار و تحلیل دقیق تعداد ضربات مته با توجه به سایندگی دی‌الکتریک بهره می‌برند. این امر زبری دیواره سوراخ را از اولین پنل تا ده هزارمین پنل، کاملاً در محدوده تلورانس‌های IPC-6012 Class 3 حفظ می‌کند.
مشخصات فنی و مهندسی
پارامترهای فرآیندی تاییدشده بر اساس اصول DFM جهت انطباق با الزامات استاندارد خودرویی IATF 16949 و قابلیت اطمینان صنعتی IPC Class 3 طراحی شده‌اند.
| پارامتر / ویژگی | سوراخ‌کاری مکانیکی CNC | فرسایش لیزری CO2 | فرسایش لیزری UV |
|---|---|---|---|
| حداقل قطر ویا | 0.15 mm (6 mil) | 0.10 mm (4 mil) | 0.075 mm (3 mil) |
| حداکثر قطر ویا | 6.35 mm (250 mil) | 0.20 mm (8 mil) | 0.15 mm (6 mil) |
| دقت موقعیت‌یابی (هدف) | ±25 μm (±1 mil) | ±15 μm | ±10 μm (انطباق با LDI) |
| حداکثر نسبت ابعادی (AR) | 15:1 (فرآیند تاییدشده) | 1:1 (در هر لایه بیلدآپ) | 1:1 (در هر لایه بیلدآپ) |
| انواع سوراخ‌های پشتیبانی‌شده | PTH، کور (Blind)، مدفون (Buried)، NPTH، اسلات | میکرو‌ویای کور (Blind Microvia) | میکرو‌ویای کور، مس مستقیم |
| کنترل عمق در محور Z | ±50 μm (دقت بک‌دریلینگ) | لایه توقف مس طبیعی | لایه توقف مس طبیعی |
| دی‌الکتریک‌های پشتیبانی‌شده | FR-4، Rogers، Polyimide، MCPCB | پری‌پریگ، RCC، ارگانیک | تمامی متریال‌ها (شامل شیشه نازک) |
| دینامیک اسپیندل / پالس | تا 200,000 دور در دقیقه با خنک‌کاری خلاء | مادون قرمز پالسی پرانرژی | فرسایش سرد طیف فرابنفش (UV) |
| کاربرد ساختاری اصلی | مسیریابی سیگنال‌های اصلی و تغذیه | بردهای استاندارد HDI (1+N+1) | بردهای الترا HDI / Any-Layer ELIC |
| چک‌لیست تایید خروج تولید | تلورانس نهایی سوراخ، حلقه مسی، ضخامت استک، نسبت ابعادی، سقف ضربات مته، مسیر اسمیرزدایی، اهداف انطباق X-ray و الزامات فینیش پرس‌فیت پیش از صدور مجوز تولید قفل می‌شوند. | ابعاد پد هدف میکرو‌ویا، ضخامت دی‌الکتریک، لایه توقف مس، تعداد لایه‌نشانی‌های متوالی و پنجره انرژی لیزر پیش از راه‌اندازی CO2 بازبینی می‌شوند. | استک مس/بازشو، میزان فیبر شیشه، توالی Any-Layer ELIC، برنامه پرکردن/کپ VIPPO و معیارهای پذیرش مقطع متالوگرافی قبل از اجرای سوراخ‌کاری UV تایید می‌گردند. |
اجرای ترکیب‌های خاص، نظیر نسبت ابعادی 15:1 همراه با سوراخ‌کاری مکانیکی فوق متراکم با گام 0.15 میلی‌متر، نیازمند جبران انقباض پیشرفته متریال است. لطفاً فایل‌های ODB++ یا IPC-2581 خود را جهت بازبینی امکان‌پذیری رایگان ارسال فرمایید.
فرسایش لیزری بردهای HDI
طراحی‌های اتصالات با تراکم بالا (HDI) نیازمند میکرو‌ویاهایی هستند که مته‌های مکانیکی به هیچ وجه قادر به تشکیل آن‌ها نیستند. APTPCB از استراتژی‌های پرتو دوگانه لیزری برای ساخت شالوده الکترونیک مدرن مینیاتوری بهره می‌برد.
لیزرهای CO2 شرکت هیتاچی در طول موج مادون قرمز 9.4 تا 10.6 میکرومتر کار می‌کنند و کارایی فوق‌العاده‌ای در تبخیر دی‌الکتریک‌های ارگانیک دارند، در حالی که به‌طور طبیعی از روی پد مسی زیرین بازتاب می‌شوند. این ویژگی یک لایه توقف بی‌نقص برای ساختارهای 1+N+1 و 2+N+2 ایجاد کرده و دستیابی به میکرو‌ویاهای 0.10 میلی‌متری را آسان می‌سازد.
لیزرهای UV با طول موج 355 نانومتر فرسایش سرد را فراهم می‌کنند که هم مس و هم دی‌الکتریک‌های تقویت‌شده با شیشه را بدون تنش حرارتی ناشی از CO2 به‌طور تمیز تبخیر می‌نماید. این فرآیند امکان سوراخ‌کاری مستقیم از میان فویل مسی خارجی را تا قطر 0.075 میلی‌متر فراهم می‌سازد که برای میکرو‌ویاهای استک‌شده در بردهای چندلایه Any-Layer ELIC در سطح گوشی‌های هوشمند الزامی است.
قابلیت اطمینان یک میکرو‌ویای لیزری دقیقاً به اندازه کیفیت اتصال آن به پد هدف است. ما پهنای پالس و انرژی کانونی را متناسب با هر نوع متریال دی‌الکتریک به‌صورت پویا تنظیم می‌کنیم و خلوص مس نمایان‌شده را با برش مقطعی با بزرگنمایی بالا قبل از بارورسازی مس الکترولس بررسی می‌نماییم.
جهت قرار دادن یک میکرو‌ویا بر روی ویای دیگر در ساختارهای 3+N+3، ویای پایینی نباید توخالی بماند. فرآیند VIPPO ما ویای لیزری زیرین را کاملاً با مس رسانا یا رزین پر کرده، سطح آن را مسطح نموده و یک روکش مس آبکاری‌شده روی آن ایجاد می‌کند تا یک سکوی پرتاب مستحکم برای شلیک لیزر بعدی تشکیل شود.
یکپارچگی سیگنال (SI)
هنگامی که سیگنال از لایه ۱ به لایه ۴ در یک برد ۲۴ لایه منتقل می‌شود، باقیمانده لوله استوانه‌ای مسی آبکاری‌شده به عنوان یک آنتن آویزان یا زایده استاب (Via Stub) عمل می‌کند. در فرکانس‌های بالاتر از 5 گیگاهرتز یا سرعت‌های بیش از 10 گیگابیت بر ثانیه، این استاب ناپیوستگی خازنی مخرب و تضعیف بازتابی شدیدی ایجاد کرده و سلامت دیاگرام چشم (Eye Diagram) را در پروتکل‌های 112G PAM4 از بین می‌برد.
دستیابی به دقت عمق ±50μm
فرآیند بک‌دریلینگ این استاب مزاحم را با ماشین‌کاری فیزیکی می‌تراشد. با بهره‌گیری از اسپیندل‌های سروو Schmoll در محور Z با حسگر تماسی الکتریکی، ما از پشت برد تا لایه سیگنال مورد نظر سوراخ‌کاری معکوس انجام می‌دهیم. فرآیند ما دقت عمق ±50 میکرومتر را تضمین نموده و استاب باقیمانده را زیر 200 میکرومتر نگه می‌دارد. هر پنل بک‌دریل‌شده تحت اندازه‌گیری خودکار سه‌بعدی با اشعه ایکس قرار می‌گیرد تا فاصله دقیق بین انتهای مته و لایه سیگنال حساس تایید شود.
قوانین DFM برای بک‌دریلینگ پرسرعت
سوراخ‌های بک‌دریل‌شده نمی‌توانند پایه‌های قطعات THT را بپذیرند. طراحان باید فاصله دی‌الکتریک کافی بین لایه سیگنال و نقطه توقف مته بک‌دریل منظور نمایند، و مته بک‌دریل عمداً بزرگ‌تر از قطر اولیه انتخاب می‌شود تا استوانه مس آبکاری‌شده کاملاً برداشته شود. تیم مهندسی ما در نرم‌افزارهای Altium، Cadence و Mentor شما را در این قیود یاری می‌رساند.
فعال‌سازی شیمیایی
اصطکاک شدید مته با دور 150,000 دور در دقیقه باعث ذوب رزین اپوکسی در ماتریس FR-4 شده و این پلاستیک مذاب را بر روی لبه‌های لایه‌های مس داخلی می‌مالد (Resin Smear). در صورت عدم پاک‌سازی، این لکه رزین مانند عایق الکتریکی عمل کرده و باعث قطعی الکتریکی فاجعه‌بار در لوله ویا می‌شود. اسمیرزدایی گامی غیرقابل چشم‌پوشی برای اتصالات قابل اعتماد است.
پرمنگنات قلیایی برای FR-4
برای لمینت‌های ارگانیک استاندارد، ما از یک خط سه‌مرحله‌ای دقیق پرمنگنات قلیایی استفاده می‌کنیم. این فرآیند رزین را متورم کرده، اسمیر را به‌طور شیمیایی حل می‌کند و باقیمانده‌ها را خنثی می‌سازد، در حالی که پدیده Etch-back را در محدوده 0.5 تا 1.0 میل مهار نموده و بستری مستحکم برای آبکاری مس الکترولس فراهم می‌آورد.
اسمیرزدایی پلاسما برای متریال‌های PTFE و RF فرکانس بالا
متریال‌های فرکانس بالا از سازندگانی چون Rogers، Taconic و Syneon به شدت به تفلون PTFE و پرکننده‌های سرامیکی متکی هستند. تفلون از نظر شیمیایی خنثی است، بنابراین ما این بردها را در محفظه‌های خلاء اختصاصی پلاسمای CF4 و O2 پردازش می‌کنیم تا اسمیر را بسوزانند و سطح فلوئوروپلیمر را زبرسازی نمایند. این مرحله برای چسبندگی آبکاری مس مطابق با IPC Class 3 در بردهای رادار هوافضا و 5G mmWave حیاتی است.
طراحی معماری برد
انتخاب فناوری مناسب ویا مستقیماً هزینه برد، یکپارچگی سیگنال و پیچیدگی چرخه‌های لمینت را تعیین می‌کند. این بخش یک مرجع قطعی برای استراتژی‌های پیشرفته سیم‌کشی است.
| فناوری ویا | تعریف ساختاری | روش فرآوری اصلی | کاربرد مهندسی B2B |
|---|---|---|---|
| سوراخ سرتاسری (PTH) | نفوذ از بالا به پایین با استوانه مسی کامل | سوراخ‌کاری مکانیکی CNC | توزیع تغذیه، سیم‌کشی سیگنال استاندارد، قطعات پایه‌دار THT |
| ویای کور (Blind Via) | شروع از لایه خارجی و خاتمه در لایه داخلی | سوراخ‌کاری مکانیکی یا لیزری | فن‌اوت بردهای با تراکم بالا و آزادسازی فضای سیم‌کشی |
| ویای مدفون (Buried Via) | کپسوله‌شده به‌طور کامل در میان لایه‌های داخلی | سوراخ‌کاری مکانیکی روی ساب‌لمینت | عبور از کانال‌های سیم‌کشی متراکم داخلی |
| میکرو‌ویای استک‌شده (Stacked) | چندین ویای لیزری که مستقیماً روی یکدیگر ساخته می‌شوند | فرسایش لیزری + VIPPO | تراکم فوق‌العاده، BGA با گام 0.35 میلی‌متر، Any-Layer ELIC |
| میکرو‌ویای زیگزاگ (Staggered) | ویاهای لیزری با جابجایی افقی در لایه‌های متوالی | فرسایش لیزری | قابلیت اطمینان بالاتر در چرخه‌های حرارتی نسبت به نوع استک‌شده |
| ویای اسکیپ (Skip Via) | ویای لیزری که از دو لایه دی‌الکتریک عبور می‌کند | لیزر با انرژی بالا | گذر سریع از روی صفحات شیلد و زمین |
| ویا در پد (VIPPO) | ویای واقع در پد SMD که پر شده و روکش مس مسطح دارد | سوراخ‌کاری مکانیکی/لیزری + پلناریزاسیون مسطح | فن‌اوت BGAهای ریزگام و جلوگیری از مکش لحیم |
| ویای بک‌دریل‌شده (CDD) | سوراخ سرتاسری PTH با استاب مسی زائد تراشیده‌شده | مته‌کاری معکوس با کنترل عمق در محور Z | کانال‌های فرکانس بالا و پرسرعت 25G / 56G / 112G SerDes |
| آرایه ویای حرارتی (Thermal Vias) | شبکه متراکمی از سوراخ‌های آبکاری‌شده زیر پد دفع حرارت | سوراخ‌کاری مکانیکی CNC | تخلیه حرارت از آی‌سی‌های قدرت GaN و SiC |
| سوراخ پرس‌فیت (Press-Fit) | سوراخ PTH با تلورانس فوق‌العاده دقیق برای پایه‌های جوش سرد | سوراخ‌کاری CNC + کنترل دقیق آبکاری | کانکتورهای خودرویی و هدرهای بک‌پلین |
ترکیب ویاهای کور، مدفون و میکرو‌ویاهای استک‌شده، برد را از یک چرخه لمینت ساده به یک ساختار چندمرحله‌ای متوالی (Sequential Lamination) تبدیل می‌کند. با تیم مهندسی ما برای ایجاد تعادل میان تراکم سیم‌کشی، قابلیت ساخت و هزینه مشورت کنید.
بخش‌های صنعتی
صنایع گوناگون استانداردهای متفاوتی را برای قابلیت اطمینان ویاها اعمال می‌کنند. ما پروفایل‌های سوراخ‌کاری، آبکاری و بازرسی را مطابق با گواهینامه‌ها و الزامات عملکردی هر صنعت سفارشی‌سازی می‌کنیم.
سوئیچ‌های مقیاس بزرگ به بردهایی با بیش از ۳۰ لایه و افزون بر ۵۰,۰۰۰ ضربه سوراخ‌کاری نیاز دارند. بک‌پلین‌های با تعداد لایه بالا به بک‌دریلینگ با دقت ±50μm و آبکاری نسبت ابعادی بالا جهت حفظ یکپارچگی سیگنال در مسیرهای طولانی متریال مگترون متکی هستند.
واحدهای کنترل الکترونیکی (ECU) حساس به ایمنی، به شدت به کانکتورهای پرس‌فیت بدون لحیم وابسته هستند. ما این سوراخ‌ها را با تلورانس ±0.05 میلی‌متر ماشین‌کاری کرده و با پوشش‌های نهایی قلع غوطه‌وری یا نقره غوطه‌وری همراه می‌کنیم تا اتصال جوش سرد نفوذناپذیر در برابر گاز تضمین شود.
سخت‌افزارهای پروازی نیازمند قابلیت اطمینان مطلق در ساختار ویاها هستند. هر محموله تولیدی تحت آزمون‌های مخرب برش متالوگرافی قرار می‌گیرد تا عدم جدایش، نبود اسمیر رزین و پوشش کامل مس در بردهای چندلایه تضمین گردد.
گزارش فنی و تخصصی APTPCB
برای معماران فنی و سرپرستان مهندسی سخت‌افزار، تعاریف ساده برد مدار چاپی ناکافی است. بخش‌های زیر تجزیه و تحلیل فنی دقیقی از علم مواد، سینماتیک و پیامدهای الکترومغناطیسی فرآیند سوراخ‌کاری اجراشده در تاسیسات ساخت APTPCB ارائه می‌دهند.
در طراحی‌های دیجیتال پرسرعت، یک سوراخ سرتاسری آبکاری‌شده صرفاً یک اتصال DC نیست، بلکه یک شبکه پیچیده خازنی و سلفی است. هنگامی که یک سیگنال از لایه ۱ به یک لایه استریپ‌لاین داخلی در یک بک‌پلین ضخیم منتقل می‌شود، استوانه مسی پایینی باقیمانده به یک خط انتقال بدون بار انتهایی یا زایده استاب (Via Stub) تبدیل می‌شود. این استاب مانند یک تشدیدگر ربع موج عمل کرده و فرورفتگی شدیدی در منحنی تلفات عبوری (Insertion Loss) به وجود می‌آورد. بک‌دریلینگ با عمق کنترل‌شده این ساختار تشدیدگر را حذف می‌کند و برای سرعت‌های ۲۵، ۵۶ و ۱۱۲ گیگابیت بر ثانیه کاملاً الزامی است.
ترمودینامیک لیزر CO₂: با کار در طیف مادون قرمز (حدود ۱۰.۶ میکرومتر)، لیزر CO₂ انرژی حرارتی را به پیوندهای مولکولی رزین اپوکسی منتقل کرده و موجب تبخیر سریع آن می‌شود. از آنجا که مس در طیف مادون قرمز به شدت بازتابنده است، انرژی لیزر از روی پد مسی داخلی پس زده می‌شود و مانع از آسیب به آن می‌گردد. این "مکانیسم توقف" ذاتی، لیزر CO₂ را برای بردهای استاندارد HDI نوع 1+N+1 بسیار سریع و کارآمد می‌سازد. با این حال، قطر نقطه کانونی لیزر CO₂ توسط پراش محدود شده و سوراخ‌کاری قطرهای زیر 0.10 میلی‌متر را دشوار می‌کند.
فوتوشیمی لیزر UV: با فعالیت در طیف فرابنفش (حدود ۳۵۵ نانومتر)، لیزرهای UV از فرآیند "فرسایش سرد" بهره می‌برند. فوتون‌های پرانرژی مستقیماً پیوندهای مولکولی پلیمر دی‌الکتریک و فویل مسی را بدون ایجاد گرادیان‌های حرارتی شدید می‌شکنند. این امر امکان برش مستقیم مس لایه خارجی (DLD) را بدون نیاز به مرحله فتولیتوگرافی بازشو فراهم می‌سازد. علاوه بر این، طول موج کوتاه نقطه کانونی بسیار کوچکی پدید می‌آورد و میکرو‌ویاهای 0.075 میلی‌متری (3 میل) با دیواره‌های کاملاً عمودی را ممکن می‌سازد که برای فن‌اوت BGAهای با گام 0.35 میلی‌متر در ساختارهای Any-Layer ELIC حیاتی است.
سوراخ‌کاری مکانیکی باعث مالش رزین نرم‌شده روی مس لایه‌های داخلی می‌گردد که حتماً باید قبل از فلزکاری پاک‌سازی شود. بردهای استاندارد FR-4 به خوبی به فرآیندهای پرمنگنات قلیایی واکنش نشان می‌دهند، در حالی که متریال‌های تفلون PTFE و سایر دی‌الکتریک‌های RF نیازمند فعال‌سازی پلاسما هستند. این امر به ویژه در بردهای مدار چاپی فرکانس بالا و سیستم‌های امواج میلی‌متری بسیار حائز اهمیت است، جایی که آماده‌سازی ضعیف دیواره سوراخ مستقیماً چسبندگی آبکاری و قابلیت اطمینان بلندمدت را دچار نقص می‌کند.
لمینت‌های PTFE/تفلون: تفلون خالص نرم بوده و به شدت مستعد انبساط حرارتی است. اگر دور اسپیندل (RPM) بیش از حد بالا باشد یا نرخ نفوذ ابزار کند باشد، مته مدت زیادی در متریال درجا می‌زند و گرمای موضعی ایجاد می‌کند. تفلون ذوب شده و روی سوراخ مالیده می‌شود، سپس فوراً به عنوان یک لایه سدکننده خنثی روی لایه‌های مس داخلی منجمد می‌گردد. برای مهار این آسیب، ما از سیکل‌های سوراخ‌کاری مرحله‌ای (Peck Drilling)، پروفایل‌های کاهش دور مته و براده‌برداری تهاجمی استفاده می‌کنیم تا متریال پیش از تجمع حرارت بریده و تخلیه گردد.
رشد فیلامنت آندی رسانا (CAF) یک نقص الکتروشیمیایی فاجعه‌بار است که در آن یون‌های مس در امتداد فصل مشترک رزین و شیشه از ویای آندی با ولتاژ بالا به سمت ویای کاتدی حرکت کرده و در نهایت اتصال کوتاه داخلی ایجاد می‌کنند. با متراکم‌تر شدن طراحی‌های مدار چاپی، فاصله دی‌الکتریک میان دیواره‌های دو سوراخ مجاور به شکل خطرناکی تا 0.15 میلی‌متر تقلیل می‌یابد.
فرآیند سوراخ‌کاری محرک مکانیکی اصلی بروز CAF است. اگر یک مته کدر به داخل لمینت فشرده شود، پیوند سیلان میان الیاف شیشه بافته‌شده و رزین اپوکسی اطراف را می‌شکند. این ریزترک‌ها مسیرهای مویینگی توخالی ایجاد می‌کنند. در طول کارکرد در محیط‌های مرطوب، رطوبت نفوذ کرده و نمک‌های مس ناشی از فرآیند آبکاری را حل می‌کند که تحت بایاس DC مهاجرت می‌کنند. APTPCB با پایش مستمر لنگی اسپیندل‌های فرکانس بالا (TIR کمتر از ۱۰ میکرومتر)، استفاده از نرخ پیشروی تهاجمی برای برش الیاف شیشه به جای پاره کردن آن‌ها، و پیشنهاد لمینت‌های با Tg بالا و اصلاح سیلان ویژه، پدیده CAF را به‌طور مکانیکی مهار می‌کند.
سوراخ‌کاری یک حفره عمیق تنها نیمی از چالش مهندسی است؛ نشاندن یکنواخت مس در داخل آن حفره، اتصال را کامل می‌کند. نسبت ابعادی (AR) نسبت ضخامت برد به قطر سوراخ است. یک بک‌پلین با ضخامت 8.0 میلی‌متر و سوراخ 0.5 میلی‌متری دارای نسبت ابعادی 16:1 است.
در حمام‌های آبکاری الکتریکی استاندارد DC، چگالی میدان الکتریکی در لبه‌های تیز ورودی سوراخ متمرکز می‌شود (اثر استخوان سگی یا Dog-bone). در نتیجه، مس روی سطح به سرعت می‌نشیند اما در مرکز لوله عمیق با سرعت بسیار کمی لایه‌نشانی می‌شود. در یک سوراخ 15:1، آبکاری DC ممکن است ۴۰ میکرومتر مس روی سطح اما تنها ۱۰ میکرومتر در مرکز بر جای بگذارد که با استانداردهای حداقل IPC Class 3 مغایرت دارد و نقطه ضعفی حساس در برابر شوک‌های حرارتی لحیم‌کاری موجی ایجاد می‌کند.
APTPCB با بهره‌گیری از فناوری آبکاری الکتریکی پالس معکوس (Pulse-Reverse) بر این محدودیت فیزیکی غلبه می‌کند. یکسوکننده‌ها یک پالس رو به جلو (برای رسوب مس) ارسال کرده و بلافاصله یک پالس معکوس با جریان بالا (برای لایه‌برداری آندی) اعمال می‌کنند. از آنجا که میدان در دهانه سوراخ قوی‌تر است، پالس معکوس مس مازاد را از لبه‌ها جدا می‌کند در حالی که مس عمق لوله تقریباً دست‌نخورده باقی می‌ماند. با تکرار مداوم این شکل موج در طول چندین ساعت، ما محلول را به عمق ویا هدایت کرده و ضخامت مس یکنواخت ۲۰ الی ۲۵ میکرومتر را در سرتاسر لوله حتی در بک‌پلین‌های هوافضایی با نسبت دشوار 15:1 تضمین می‌نماییم.
پرسش‌های متداول
گستره دسترسی جهانی مهندسی
تیم‌های مهندسی در سرتاسر جهان برای سوراخ‌کاری دقیق طیف کامل انواع ویاها، از نمونه‌سازی سریع تا تولید انبوه مقیاس‌پذیر، به APTPCB متکی هستند.
بردهای مراکز داده با بیش از ۳۰,۰۰۰ ضربه مته، بک‌دریلینگ کنترل‌شده ±50μm برای SerDes های 112G و سوراخ‌های کانکتور پرس‌فیت برای کاربردهای بک‌پلین سرور تراز اول.
ویاهای پرس‌فیت خودرویی منطبق بر استاندارد IATF 16949، میکرو‌ویاهای مخابراتی HDI و آرایه‌های ویای حرارتی بردهای قدرت مس سنگین صنعتی برای درایوهای الکتروموتور.
بردهای چندلایه Any-Layer HDI گوشی‌های هوشمند با میکرو‌ویاهای لیزر UV، بردهای آنتن 5G mmWave با اسمیرزدایی پلاسما تفلون و سوراخ‌کاری بردهای تست نیمه‌رسانا.
سیستم‌های الکترونیک هوانوردی و دفاعی با ویاهای نسبت ابعادی بالا طبق IPC Class 3 و بردهای ماهواره‌های مدار پایین (LEO) نیازمند سوراخ‌کاری و فرآوری مطمئن PTFE.
داده‌های ODB++ یا گربر خود را با APTPCB به اشتراک بگذارید. معماران فنی ما معماری ویاها، نسبت‌های ابعادی، تلورانس‌های بک‌دریلینگ و مشخصات پرس‌فیت شما را تحلیل کرده و گزارش جامع امکان‌سنجی DFM و پیش‌فاکتور رسمی را ظرف مدت ۲۴ ساعت ارائه خواهند داد.
