LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA)

• Definizione: Un PCB LDMOS PA è una scheda a circuito stampato specializzata progettata per supportare transistor a semiconduttore a ossido metallico a diffusione laterale (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), utilizzati principalmente nell'amplificazione RF ad alta potenza per stazioni base e radar.
• Criticità Termica: A differenza delle schede logiche standard, la modalità di guasto principale per le applicazioni LDMOS è l'instabilità termica (thermal runaway); strategie efficaci di dissipazione del calore (monete di rame, via farms) sono irrinunciabili.
• Gerarchia dei Materiali: Mentre l'FR4 è economico, i progetti LDMOS richiedono quasi esclusivamente laminati ad alta frequenza (come Rogers o Taconic) o stackup ibridi per mantenere l'integrità del segnale.
• Messa a Terra: La messa a terra della sorgente è fondamentale per le prestazioni RF; il processo di fabbricazione del PCB deve garantire percorsi a induttanza ultra-bassa verso il piano di massa.
• Validazione: I test elettrici standard sono insufficienti; sono necessari test di intermodulazione passiva (PIM) e cicli termici per convalidare il legame tra la flangia LDMOS e il PCB.
• Contesto LSI: Mentre le tecnologie GaN PA PCB e GaAs PA PCB stanno guadagnando terreno per frequenze più elevate, LDMOS rimane la scelta dominante ed economica per applicazioni ad alta potenza inferiori a 4 GHz.
• Precisione di Fabbricazione: La tolleranza per l'incisione della larghezza della traccia nei progetti LDMOS è spesso più stretta di +/- 0,5 mil a causa dei requisiti di adattamento dell'impedenza.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) PCB (ambito e limiti)

Basandosi sulla definizione di base, la comprensione di una PCB LDMOS PA richiede di guardare oltre il componente stesso e di considerare la scheda come parte integrante del sistema termico ed elettrico. La tecnologia LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) è stata il cavallo di battaglia dell'industria della potenza RF per decenni, in particolare nelle infrastrutture cellulari (4G/LTE e 5G sub-6GHz), nei trasmettitori broadcast e nei sistemi radar in banda L.

Quando parliamo della PCB per questi amplificatori, non ci riferiamo a una semplice scheda portante. La PCB funge da interfaccia primaria del dissipatore di calore e da rete di adattamento critica per il segnale RF. I dispositivi LDMOS operano tipicamente con efficienze di drain tra il 50% e il 70%. Ciò significa che per un segnale di uscita di 100 W, il dispositivo potrebbe generare da 40 W a 100 W di calore disperso. Se la PCB non riesce a trasferire immediatamente questo calore lontano dalla flangia del transistor, la temperatura di giunzione aumenterà, la linearità si degraderà e il dispositivo alla fine si guasterà.

Inoltre, l'aspetto "PA" (Amplificatore di Potenza) impone che la scheda debba gestire contemporaneamente correnti elevate e tensioni elevate. La tensione di rottura dielettrica del materiale diventa un fattore di sicurezza. A differenza dei progetti di PCB GaAs PA a bassa potenza utilizzati nei telefoni cellulari, o dei progetti di PCB GaN PA ad alta frequenza utilizzati nelle comunicazioni satellitari, le schede LDMOS occupano una nicchia specifica: alta potenza, media frequenza (da HF a ~3,5 GHz) e requisiti di elevata linearità. Presso APTPCB (Fabbrica di PCB APTPCB), osserviamo che la complessità di produzione risiede nella natura ibrida di queste schede. I progettisti spesso combinano laminati ad alta frequenza (per il percorso del segnale RF) con FR4 standard (per la logica di controllo e le linee di polarizzazione CC) per gestire i costi. Questo crea una "stratificazione ibrida" che presenta sfide uniche durante la laminazione a causa dei diversi tassi di espansione termica dei materiali.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) (come valutare la qualità)

Per garantire che la scheda possa gestire le rigorose esigenze dei segnali RF ad alta potenza, dobbiamo passare da definizioni generali a metriche quantificabili. La seguente tabella illustra le specifiche proprietà fisiche ed elettriche che definiscono la qualità di un PCB LDMOS PA.

Metrica	Perché è importante	Intervallo tipico o fattori influenzanti	Come misurare
Conducibilità termica (k)	Determina la velocità con cui il calore si sposta dalla flangia LDMOS attraverso il PCB al dissipatore di calore. Un 'k' basso porta a punti caldi.	Da 0,5 W/mK (FR4) a 390 W/mK (Rame). I dielettrici ad alte prestazioni variano da 0,6 a 1,3 W/mK.	Analisi flash laser (LFA) o misuratore di flusso di calore a stato stazionario.
Costante dielettrica (Dk)	Detta la larghezza delle linee di trasmissione per una specifica impedenza. La stabilità di Dk sulla frequenza è cruciale per le reti di adattamento.	Da 2,2 a 10,2. I materiali RF comuni sono da 3,0 a 3,66. Una tolleranza più stretta (+/- 0,05) è migliore.	Metodo del risonatore dielettrico a palo diviso (SPDR).
Fattore di Dissipazione (Df)	Rappresenta la perdita di segnale sotto forma di calore all'interno del dielettrico. Un Df elevato riduce l'efficienza negli amplificatori di potenza (PA) ad alta potenza.	0,001 a 0,004 per materiali RF. L'FR4 standard è 0,020 (troppo alto per percorsi RF).	Metodo di perturbazione della cavità.
Coefficiente di Espansione Termica (CTE-z)	Se il PCB si espande più velocemente del barilotto del via in rame durante il riscaldamento, i via si creperanno (circuito aperto).	20-70 ppm/°C. Un valore inferiore è migliore per l'affidabilità, specialmente nelle schede spesse.	Analisi Termomeccanica (TMA).
Resistenza alla Pelatura	L'alta potenza genera calore, che può delaminare le tracce di rame. I terminali LDMOS esercitano stress fisico.	> 0,8 N/mm (standard), ma > 1,4 N/mm è preferito per schede PA ad alta affidabilità.	Test di pelatura a 90 gradi.
Rugosità Superficiale	Alle frequenze RF, la corrente scorre sulla "pelle" del rame. Il rame ruvido aumenta la resistenza e la perdita.	0,5 µm a 2,0 µm. È preferito il rame "trattato inverso" o "a profilo molto basso" (VLP).	Profilometro o sezione trasversale SEM.
Temperatura di Transizione Vetrosa (Tg)	La temperatura alla quale la resina del PCB diventa morbida. Le schede LDMOS si riscaldano, richiedendo un'alta Tg per prevenire guasti meccanici.	> 170°C (alta Tg) è standard per le applicazioni PA.	DSC (Calorimetria Differenziale a Scansione).

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA): guida alla selezione per scenario (compromessi)

Comprendere le metriche consente agli ingegneri di selezionare l'architettura PCB corretta, ma la scelta "migliore" dipende interamente dallo scenario applicativo specifico. Ecco sei scenari comuni per l'implementazione di PCB LDMOS PA e i compromessi raccomandati per ciascuno.

Scenario 1: Stazione Base ad Alta Potenza (Macro Cella)

• Requisito: Alta potenza continua (100W+), funzionamento 24 ore su 24, 7 giorni su 7, durata di 10 anni.
• Raccomandazione: PCB con moneta di rame incorporata.
• Compromesso: Questa è l'opzione di produzione più costosa. Implica l'incorporazione di un blocco di rame solido direttamente nel PCB sotto il componente LDMOS.
• Perché: I via termici sono insufficienti per questa densità di potenza. La moneta di rame fornisce un percorso termico diretto al telaio.
• Rischio: Se la moneta non è perfettamente planare con la superficie del PCB, la saldatura del componente LDMOS fallirà (vuoti).

Scenario 2: Trasmettitore Broadcast Sensibile ai Costi

• Requisito: Potenza media, bassa frequenza (FM/VHF), budget limitato.
• Raccomandazione: Stackup Ibrido (FR4 + Rogers) con via termici.
• Compromesso: Processo di laminazione più complesso rispetto al FR4 puro, ma più economico di una scheda interamente in materiale RF.
• Perché: Si utilizza materiale RF costoso solo sullo strato superiore dove viaggia il segnale. Gli strati inferiori (alimentazione/controllo) utilizzano FR4 economico.
• Rischio: Deformazione. Il disallineamento CTE tra FR4 e Rogers può causare l'incurvamento della scheda durante il reflow se lo stackup non è bilanciato.

Scenario 3: Radar ad alta frequenza (banda S)

• Requisito: Segnali a impulsi, controllo preciso dell'impedenza, basse perdite.
• Raccomandazione: PTFE caricato con ceramica (ad es. serie Rogers RO3000).
• Compromesso: Il materiale è morbido e difficile da lavorare. La stabilità dimensionale è complessa.
• Perché: Il PTFE offre le perdite (Df) più basse possibili e una Dk stabile.
• Rischio: "Sbavatura" durante la foratura. Il materiale morbido può sbavare sulle connessioni in rame se le velocità di foratura non sono ottimizzate.
• Link interno: Per maggiori dettagli sulla gestione del PTFE, consulta le nostre capacità nella Fabbricazione di PCB ad alta frequenza.

Scenario 4: Prototipo / Prova di concetto

• Requisito: Tempi di consegna rapidi, convalida solo del progetto elettrico.
• Raccomandazione: Rogers 4350B standard (doppia faccia).
• Compromesso: Nessuna caratteristica multistrato complessa. Gestione termica limitata (solo via).
• Perché: Il 4350B si lavora come l'FR4, rendendolo veloce ed economico da fabbricare per test rapidi.
• Rischio: Non può funzionare a piena potenza per lunghi periodi senza un dissipatore di calore esterno.

Scenario 5: Small Cell con vincoli di spazio

• Requisito: Alta densità, sistemi di antenne attive (AAS).
• Raccomandazione: HDI (High Density Interconnect) con via ciechi/interrati.
• Compromesso: Elevato costo di produzione e complessità.
• Perché: È necessario instradare linee di polarizzazione e controllo complesse in un ingombro ridotto mantenendo pulito il percorso RF.
• Rischio: Diafonia del segnale. Con linee più vicine, l'isolamento tra l'uscita e l'ingresso del PA diventa critico per prevenire l'oscillazione.

Scenario 6: Sostituzione di sistemi legacy (Manutenzione 2G/3G)

• Requisito: Corrispondenza delle specifiche obsolete, sostituzione diretta.
• Raccomandazione: Reverse Engineering / Sostituzione del materiale.
• Compromesso: I materiali originali potrebbero essere fuori produzione.
• Perché: I materiali moderni hanno spesso valori di Dk diversi rispetto ai materiali di 20 anni fa. Potrebbe essere necessario regolare le larghezze delle tracce per corrispondere all'impedenza originale.
• Rischio: Deriva delle prestazioni. La nuova scheda potrebbe essere "troppo buona" (meno perdite), modificando il profilo di guadagno dell'amplificatore.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) (dalla progettazione alla produzione)

Una volta selezionata l'architettura, la transizione da un file CAD a una scheda fisica è il punto in cui si verificano la maggior parte dei guasti. Questa sezione illustra i punti di controllo critici nel processo di produzione di un PCB LDMOS PA.

1. Approvvigionamento e stoccaggio dei materiali

• Punto di controllo: Verificare il lotto specifico di laminato.
• Raccomandazione: Per applicazioni PA di fascia alta, richiedere materiali "Dk-sorted" in cui il produttore garantisce che la costante dielettrica rientri in una tolleranza più stretta rispetto allo standard.
• Rischio: I materiali RF sono igroscopici (assorbono umidità). Se non conservati in confezioni sottovuoto, si delamineranno durante il reflow.
• Accettazione: Test del contenuto di umidità prima della laminazione.

2. Immaginazione e incisione dello strato interno

• Checkpoint: Precisione della larghezza della traccia.
• Recommendation: Utilizzare l'imaging diretto laser (LDI) anziché il film tradizionale. Le reti di adattamento LDMOS si basano su larghezze/lunghezze di linea precise per la trasformazione dell'impedenza.
• Risk: La sovra-incisione aumenta l'impedenza; la sotto-incisione la diminuisce. Un errore di 1 mil può spostare la risposta in frequenza di MHz.
• Acceptance: Ispezione ottica automatizzata (AOI) con impostazioni di tolleranza rigorose (+/- 10%).

3. Laminazione ibrida (Incollaggio)

• Checkpoint: Incollaggio di materiali diversi (ad esempio, PTFE su FR4).
• Recommendation: Utilizzare uno specifico "bond ply" o prepreg progettato per materiali dissimili. Il ciclo di pressatura (aumento e diminuzione della temperatura) deve essere personalizzato per minimizzare lo stress.
• Risk: Delaminazione o errori di registrazione (spostamento degli strati) dovuti a diversi tassi di espansione.
• Acceptance: Analisi in microsezione per verificare l'integrità della linea di incollaggio.
• Internal Link: Scopri di più sui layup complessi nella nostra guida Stack-up PCB.

4. Foratura e formazione di via

• Checkpoint: Via di messa a terra vicino alla sorgente LDMOS.
• Recommendation: Utilizzare una "via farm" (array denso di via) direttamente sotto il pad di massa del componente.
• Risk: Se la punta del trapano è smussata, crea pareti del foro ruvide, portando a una scarsa placcatura e un'elevata induttanza.
• Acceptance: Verifica in sezione trasversale della qualità della parete del foro.

5. Inserimento di moneta di rame (se applicabile)

• Punto di controllo: Integrazione della moneta a pressione o incollata.
• Raccomandazione: La moneta deve essere placcata per garantire una superficie saldabile. La transizione dalla superficie del PCB alla superficie della moneta deve essere inferiore a 50 micron (planarità).
• Rischio: Se la moneta è troppo alta, il componente oscilla; se troppo bassa, si formano vuoti di saldatura.
• Accettazione: Scansione profilometrica 3D della planarità della superficie.

6. Placcatura (Finitura superficiale)

• Punto di controllo: Conducibilità e protezione dall'ossidazione.
• Raccomandazione: Argento ad immersione o ENIG (Nichel Chimico Oro ad Immersione). L'argento è preferito per la RF perché non contiene nichel (il nichel è ferromagnetico e può causare intermodulazione passiva/PIM).
• Rischio: HASL (Livellamento a caldo della saldatura) è troppo irregolare per i componenti LDMOS.
• Accettazione: Fluorescenza a raggi X (XRF) per misurare lo spessore della placcatura.

7. Applicazione della maschera di saldatura

• Punto di controllo: Copertura delle aree non critiche.
• Raccomandazione: Mantenere la maschera di saldatura lontana dalle linee di trasmissione RF, se possibile. La maschera di saldatura aggiunge uno strato dielettrico che è dissipativo e difficile da controllare.
• Rischio: L'applicazione della maschera sulle linee RF modifica l'impedenza (di solito la riduce di 2-3 ohm) e aumenta la perdita.
• Accettazione: Ispezione visiva rispetto ai livelli "keep-out" Gerber.

8. Routing e profilatura

• Punto di controllo: Qualità del bordo.
• Raccomandazione: I bordi della scheda devono essere lisci e privi di bave di rame.
• Rischio: Le bave di rame sul bordo possono causare archi elettrici in applicazioni ad alta potenza/alta tensione.
• Accettazione: Ispezione visiva.

9. Test elettrici e termici

• Punto di controllo: Validazione finale.
• Raccomandazione: Oltre ai test di apertura/cortocircuito, eseguire TDR (Time Domain Reflectometry) per l'impedenza e test Hi-Pot per la rottura dielettrica.
• Rischio: Una scheda che supera il test di continuità potrebbe comunque fallire a 2 GHz a causa di disadattamenti di impedenza.
• Accettazione: Rapporto TDR e Certificato di Conformità (CoC).

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) (e l'approccio corretto)

Anche con un processo robusto, errori specifici affliggono frequentemente i progetti di PCB LDMOS PA. Identificarli precocemente può far risparmiare settimane di tempo di revisione.

1. Ignorare l'"effetto pelle" sulla finitura superficiale:

   • Errore: Utilizzo di ENIG per progetti LDMOS ad altissima potenza e alta frequenza.
   • Correzione: Sebbene l'ENIG sia piatto e affidabile, lo strato di nichel è magnetico e ha una resistenza maggiore. Alle frequenze RF, la corrente viaggia in questo strato di nichel, aumentando le perdite. Utilizzare Argento ad Immersione o ENEPIG (se progettato correttamente) per PA sensibili.

2. Messa a terra inadeguata della sorgente:

   • Errore: Collegamento del pad di sorgente LDMOS a massa utilizzando solo pochi via termici.
   • Correzione: L'induttanza della sorgente deve essere minimizzata per mantenere il guadagno. Utilizzare il numero massimo di via possibile (via farm) o una moneta di rame. L'induttanza di un via non è trascurabile alle frequenze GHz.

3. Trascurare il disallineamento CTE nelle schede ibride:

   • Errore: Progettare uno stackup con Rogers in alto e FR4 in basso senza bilanciare la densità del rame.
   • Correzione: Assicurarsi che lo stackup sia simmetrico in termini di peso del rame e spessore dielettrico, ove possibile, per prevenire l'effetto di deformazione a "patatina" durante la rifusione.

4. Posizionamento della maschera di saldatura sul percorso RF:

   • Errore: Coprire completamente le tracce di ingresso/uscita RF con la maschera di saldatura per protezione.
   • Correzione: Utilizzare pad "definiti dalla maschera di saldatura" solo dove necessario. Lasciare le tracce RF scoperte (o placcate) o tenere conto del Dk della maschera nella simulazione. La maschera aggiunge una capacità imprevedibile.

5. Trascurare la chiusura dei via termici:

   • Errore: Lasciare aperti (non chiusi) i via termici sotto il componente.
   • Correzione: La saldatura si infiltrerà nei via aperti durante la rifusione, lasciando la flangia LDMOS "priva" di saldatura. Ciò crea vuoti e porta a guasti termici. Utilizzare sempre via tappati o riempiti e placcati (VIPPO) per i pad sotto i componenti.
   • Link interno: Rivedere le nostre linee guida sulle Linee guida DFM per comprendere le opzioni di chiusura dei via.

6. Specifica errata del peso del rame:

   • Errore: Utilizzare rame standard da 1 oz per linee di drain ad alta corrente.

• Correzione: Calcolare la densità di corrente. I drain LDMOS possono assorbire ampere significativi. Utilizzare rame da 2oz o 3oz per le linee di alimentazione CC per minimizzare la caduta di tensione e il riscaldamento resistivo.

Un Df elevato riduce l'efficienza negli amplificatori di potenza (PA) (Costante dielettrica (DK)/Fattore di Dissipazione (DF))

D: Posso usare GaN su un design PCB LDMOS PA? R: Generalmente, no. I design di PCB GaN PA richiedono tipicamente diverse tensioni di polarizzazione (tensione di gate negativa) e spesso operano a impedenze e frequenze più elevate. Sebbene l'ingombro possa sembrare simile, le reti di adattamento termico ed elettrico sono diverse.

D: Perché l'argento ad immersione è preferito all'ENIG per LDMOS? R: L'argento ad immersione ha una conduttività più elevata e non presenta lo strato di nichel magnetico presente nell'ENIG. Ciò si traduce in una minore perdita di inserzione e migliori prestazioni PIM (Intermodulazione Passiva), il che è fondamentale per le moderne stazioni base cellulari.

D: Qual è la differenza tra una "moneta di rame" (Copper Coin) e "rame pesante" (Heavy Copper)? R: Il rame pesante si riferisce allo spessore della lamina sullo strato (ad esempio, 3oz o 4oz). Una moneta di rame è un blocco solido di rame (spesso diversi millimetri) incorporato nella scheda. Le monete offrono un trasferimento termico verticale superiore rispetto agli strati di rame pesante.

D: Come si specifica la "trama" della fibra di vetro? R: Per le schede LDMOS ad alta frequenza, l'effetto della trama del vetro può causare uno sfasamento del segnale. Si dovrebbe specificare "vetro spalmato" (ad esempio, stile 1067 o 1078) piuttosto che trame aperte (come 106 o 7628) per garantire un Dk costante lungo la traccia. D: Qual è la durata di conservazione di un PCB LDMOS con Argento ad Immersione? R: L'Argento ad Immersione è sensibile all'ossidazione (zolfo). La durata di conservazione è tipicamente di 6-12 mesi se conservato in sacchetti sottovuoto sigillati con essiccante e schede indicatrici di umidità. Una volta aperto, dovrebbe essere saldato entro 24 ore.

D: Ho bisogno di retro-foratura per le schede LDMOS? R: Se il tuo progetto utilizza via passanti per transizioni di segnale (meno comune nei PA, ma possibile), la retro-foratura è essenziale per rimuovere il «moncone» che agisce come un'antenna e causa la riflessione del segnale.

D: Perché APTPCB raccomanda il «rame fittizio» sulle schede ibride? R: Il rame fittizio (thieving) aiuta a bilanciare la distribuzione del rame sugli strati. Ciò garantisce una pressione uniforme durante la laminazione e uno spessore di placcatura uniforme, riducendo il rischio di incurvamento e torsione nelle costruzioni ibride.

D: La «saldatura a rifusione» è necessaria per LDMOS? R: Sì. La grande flangia metallica sul fondo del package LDMOS deve essere saldata al pad di massa/dissipatore di calore del PCB. Questo processo, spesso chiamato saldatura a rifusione o rifusione della flangia, è il percorso termico primario. I vuoti qui sono catastrofici.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) (pagine e strumenti correlati)

Per assistere nel processo di progettazione, APTPCB fornisce diversi strumenti e risorse che si riferiscono direttamente alla progettazione di PCB LDMOS e RF:

• Calcolatore di Impedenza: Verifica le larghezze delle tue tracce rispetto al tuo stackup prima di inviare i file.
• Libreria Materiali: Confronta il Dk e il Df dei materiali Rogers, Isola e Panasonic.
• Gerber Viewer: Controlla i tuoi file per errori come la maschera di saldatura sulle linee RF.
• DFM Check: Invia il tuo progetto per una revisione di producibilità per individuare precocemente i problemi relativi ai via termici.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA) PCB (termini chiave)

Termine	Definizione
P1dB	Il livello di potenza di uscita in cui il guadagno dell'amplificatore diminuisce di 1 dB rispetto alla sua risposta lineare. Una metrica chiave per la linearità del PA.
IP3 (Third-Order Intercept)	Una misura della linearità dell'amplificatore. Un IP3 più alto significa meno distorsione (intermodulazione) tra i segnali.
VSWR (Voltage Standing Wave Ratio)	Una misura dell'efficienza con cui la potenza RF viene trasmessa. Un VSWR elevato significa che la potenza viene riflessa verso la sorgente (cattivo adattamento).
CTE (Coefficient of Thermal Expansion)	La velocità con cui un materiale si espande quando riscaldato. La disomogeneità tra rame e dielettrico causa guasti.
Tg (Glass Transition Temperature)	La temperatura alla quale il substrato del PCB passa da uno stato duro e vetroso a uno stato morbido e gommoso.
Dk (Dielectric Constant)	Il rapporto tra la permittività di una sostanza e la permittività dello spazio libero. Influisce sulla velocità del segnale e sull'impedenza.
Df (Dissipation Factor)	Una misura del tasso di perdita di potenza dell'energia elettrica in un materiale dielettrico (perdita di segnale).
Skin Effect	La tendenza della corrente alternata ad alta frequenza a distribuirsi all'interno del materiale conduttore in modo che la densità di corrente sia massima vicino alla superficie.
PIM (Intermodulazione Passiva)	Segnali indesiderati generati dalla miscelazione non lineare di 2 o più frequenze in dispositivi passivi (come connettori o tracce PCB).
Via Farm	Un denso raggruppamento di vie utilizzato per condurre calore o corrente tra gli strati, tipicamente posizionato sotto un componente caldo.
VIPPO (Via-in-Pad Plated Over)	Una tecnologia in cui le vie sono posizionate nel pad del componente, riempite con resina epossidica e placcate per creare una superficie piana.
Stackup Ibrido	Una stratificazione PCB che combina due diversi tipi di materiali laminati (ad esempio, FR4 e Rogers) per bilanciare costi e prestazioni.

LDMOS efficienza negli amplificatori di potenza (PA)

La progettazione e la produzione di un PCB LDMOS PA è un esercizio di bilanciamento tra la termodinamica termica e la fisica RF. Richiede un cambiamento di mentalità, dal "collegare i pin" al "gestire campi e calore". Che tu stia costruendo un amplificatore per stazione base massiccio o un modulo radar specializzato, il successo del progetto dipende dall'integrità del substrato PCB, dalla precisione dell'incisione e dalla robustezza della strategia di gestione termica.

Presso APTPCB, siamo specializzati in queste schede RF ad alta affidabilità e alta potenza. Comprendiamo che un vuoto nella saldatura o una variazione della costante dielettrica può significare la differenza tra un trasmettitore funzionante e un sistema guasto.

Pronto per la produzione? Quando invii i tuoi dati per un preventivo o una revisione DFM, assicurati di fornire:

1. File Gerber (formato RS-274X).
2. Disegno dello stackup specificando il materiale esatto (es. Rogers 4350B 20mil).
3. Tabella di foratura indicando fori placcati vs. non placcati.
4. Requisito di finitura superficiale (es. Argento ad immersione).
5. Requisiti di impedenza (es. tracce da 50 ohm sullo strato 1).
6. Requisiti speciali (es. inserto in rame, svasatura o riempimento via specifico).

Contatta oggi stesso il nostro team di ingegneri per assicurarti che i tuoi progetti LDMOS siano realizzati per funzionare al meglio.

Related links

• Fabbricazione di PCB ad alta frequenza
• Stack-up PCB
• Linee guida DFM