Diseño de placa rectificadora de SiC: Reglas de diseño de alta tensión y guía de solución de problemas

La conversión de energía de alta eficiencia depende en gran medida de la tecnología de carburo de silicio (SiC), pero el rendimiento de estos componentes está estrictamente limitado por el diseño físico de la PCB. Un diseño deficiente de la placa rectificadora de SiC puede convertir un semiconductor de alto rendimiento en una fuente de picos de voltaje peligrosos, interferencia electromagnética (EMI) excesiva y fallas térmicas. A diferencia de los diseños estándar basados en silicio, los dispositivos SiC conmutan a velocidades increíblemente altas (alto dV/dt y di/dt), lo que significa que la inductancia y capacitancia parásitas en el diseño de la placa ya no son factores despreciables, sino que son restricciones de diseño críticas.

Esta guía proporciona un marco técnico completo para ingenieros que diseñan circuitos rectificadores de SiC. Cubrimos las especificaciones esenciales, estrategias de implementación paso a paso y protocolos detallados de resolución de problemas para asegurar que su diseño cumpla con los estándares de fiabilidad industrial. Ya sea que esté prototipando un inversor solar o finalizando un módulo de cargador de vehículos eléctricos, APTPCB (Fábrica de PCB APTPCB) proporciona la precisión de fabricación necesaria para ejecutar estos diseños exigentes.

Respuesta Rápida (30 segundos)

Un diseño exitoso de la placa rectificadora de SiC requiere minimizar el área del bucle de potencia para reducir la inductancia parásita, que causa sobretensión y oscilaciones.

Minimizar la inductancia del bucle: Mantenga la inductancia total del bucle por debajo de 10 nH colocando los condensadores de desacoplamiento lo más cerca posible de los dispositivos SiC.
Conexiones Kelvin: Siempre use conexiones de fuente Kelvin para el accionamiento de la puerta (gate driving) para desacoplar el bucle de control del bucle de potencia.
Gestión Térmica: Utilice cobre pesado (2oz o 3oz) y matrices de vías térmicas para gestionar la alta densidad de potencia de los componentes de SiC.
Proximidad del Controlador de Puerta: Coloque el CI del controlador de puerta a menos de 20 mm del MOSFET/Diodo de SiC para reducir la inductancia del bucle de puerta.
Reglas de Espacio Libre: Adhiérase estrictamente a los estándares de espacio libre de voltaje IPC-2221B, ya que el SiC a menudo opera a 600V–1200V+.
Diseño Simétrico: Asegure un enrutamiento simétrico para dispositivos en paralelo para evitar el desequilibrio de corriente y el embalamiento térmico.

Cuando se aplica (y cuando no) el diseño de la placa rectificadora de SiC

Comprender cuándo aplicar técnicas especializadas de diseño de SiC asegura que los recursos de ingeniería se asignen correctamente. El SiC requiere un enfoque diferente al de los diseños estándar de Silicio (Si) debido a su velocidad de conmutación.

Se aplica a:

Sistemas de Alto Voltaje: Diseños que operan por encima de 400V (p. ej., cargadores de vehículos eléctricos, accionamientos de motores industriales) donde el voltaje de ruptura del SiC es ventajoso.
Conmutación de Alta Frecuencia: Convertidores que operan por encima de 50kHz–100kHz donde las pérdidas de conmutación del Silicio estándar serían prohibitivas.
Entornos de Alta Temperatura: Aplicaciones que requieren operación por encima de 150°C, aprovechando la estabilidad térmica del SiC.
Diseños con restricciones de espacio: Proyectos que requieren alta densidad de potencia donde los componentes pasivos (inductores/condensadores) deben minimizarse mediante operación de alta frecuencia.
Requisitos de alta eficiencia: Sistemas que buscan una eficiencia >98% (por ejemplo, fuentes de alimentación 80 Plus Titanium).

No aplica (o es excesivo) para:

Rectificación de bajo voltaje: Adaptadores AC-DC estándar de 12V/24V donde los diodos Schottky o los MOSFET de Si síncronos son suficientes y más baratos.
Rectificación de frecuencia de red: Rectificadores de puente de 50Hz/60Hz donde la velocidad de conmutación es insignificante y los puentes de diodos estándar son lo suficientemente robustos.
Electrónica de consumo sensible al costo: Dispositivos de baja potencia donde el costo premium de los componentes de SiC y la fabricación especializada de PCB no se justifica.
Fuentes de alimentación lineales heredadas: Diseños que no utilizan topologías de conmutación.

Reglas y especificaciones

La siguiente tabla describe las reglas de diseño críticas para el diseño de la placa rectificadora de SiC. Estas especificaciones se derivan de las mejores prácticas en electrónica de potencia de alto voltaje y los estándares DFM (Diseño para Fabricación).

Regla	Valor/Rango recomendado	Por qué es importante	Cómo verificar	Si se ignora
Inductancia del bucle de potencia	< 10 nH (Objetivo < 5 nH)	Un di/dt alto causa picos de voltaje ($V = L \cdot di/dt$). El exceso de inductancia provoca una sobretensión en el dispositivo.	Simulación con 3D Field Solver / Q3D Extractor.	La sobretensión destruye el dispositivo SiC; ringing excesivo.
Inductancia del bucle de puerta	< 20 nH	La alta inductancia ralentiza la conmutación y causa ringing en la puerta, lo que arriesga un falso disparo.	Medir la longitud de la traza; asegurar que el controlador esté a < 20mm de la puerta.	Encendido falso (shoot-through); aumento de las pérdidas de conmutación.
Distancia de fuga	Según IPC-2221B (ej., >5mm para 600V)	Previene el arco superficial entre nodos de alta tensión, especialmente en entornos sucios.	DRC de CAD (Verificación de Reglas de Diseño) con reglas de voltaje configuradas.	Arco, carbonización de la PCB, cortocircuito catastrófico.
Distancia de separación	Según IPC-2221B (ej., >3mm para 600V)	Previene la ruptura dieléctrica del aire entre partes conductoras.	DRC de CAD; verificar el espaciado de los pines del componente.	Descarga disruptiva, peligro de seguridad, fallo del dispositivo.
Peso del cobre	2 oz, 3 oz, o Cobre Pesado	El SiC maneja alta densidad de corriente; el cobre delgado causa calentamiento resistivo ($I^2R$).	Verificar la especificación del apilamiento en las notas de fabricación de PCB.	Sobrecalentamiento de la traza, delaminación, caída de voltaje.
Paso de las vías térmicas	Cuadrícula de 1.0mm - 1.2mm	Transfiere eficientemente el calor del componente de la capa superior a los planos de tierra internos/inferiores.	Inspección visual de la huella; simulación térmica.	Sobrecalentamiento del componente, vida útil reducida.
Ancho de traza de puerta	> 20 mils (0.5mm)	Reduce la inductancia y resistencia de la traza para las altas corrientes pico (2A-5A) de los controladores de puerta.	Gestor de restricciones CAD.	Conmutación lenta, aumento de la pérdida por conmutación.
Enrutamiento diferencial de puerta	Paralelo, acoplamiento estrecho	Rechaza el ruido de modo común inducido por eventos de conmutación de alto dV/dt.	Verificación visual; asegurar que el retorno de puerta y fuente corran juntos.	Oscilación de puerta, conmutación no intencionada.
Colocación de condensador de desacoplo	< 5mm de los pines del dispositivo	Proporciona corriente inmediata para eventos de conmutación, minimizando el área de bucle.	Verificación visual de la colocación durante el diseño.	Picos de alta tensión, fallos de EMI.
Apilamiento de capas	Simétrico (p. ej., 4 o 6 capas)	Evita la deformación de la placa durante el reflujo; permite planos de tierra dedicados para el blindaje.	Revisar el apilamiento con las directrices DFM.	Deformación de la placa, bajo rendimiento EMI.
Apertura de máscara de soldadura	1:1 o ligeramente mayor	Asegura la liberación de pasta de soldadura para pads grandes; evita la máscara de soldadura en los pads.	Inspección con visor Gerber.	Juntas de soldadura deficientes, aumento de la impedancia térmica.
Espaciado de componentes	> 1mm entre componentes de alta tensión	Evita el acoplamiento térmico y permite el flujo de recubrimiento conforme si es necesario.	Revisión del plano de montaje.	Puntos calientes térmicos, huecos en el recubrimiento.

Pasos de implementación

La ejecución de un diseño robusto de placa rectificadora de SiC requiere un flujo de trabajo disciplinado. Seguir estos pasos asegura que los requisitos eléctricos, térmicos y mecánicos se cumplan simultáneamente.

Paso 1: Apilamiento y Selección de Materiales

Acción: Seleccione un material de PCB con una Tg (Temperatura de Transición Vítrea) alta y un CTI (Índice de Seguimiento Comparativo) apropiado.
Parámetro Clave: Tg > 170°C; CTI > 600V (PLC 0) para alto voltaje.
Verificación de Aceptación: Confirme la disponibilidad del material con APTPCB antes de comenzar el diseño. El FR4 estándar puede ser insuficiente para voltajes muy altos; considere los materiales listados en nuestra guía de materiales de PCB.

Paso 2: Colocación de Componentes (El Bucle Crítico)

Acción: Coloque primero los diodos/MOSFETs de SiC y el condensador de enlace de CC. Estos forman el bucle de potencia de alta frecuencia.
Parámetro Clave: La distancia entre los terminales del condensador de enlace de CC y los terminales del dispositivo SiC debe minimizarse.
Verificación de Aceptación: El área del bucle físico debe ser visible como un círculo apretado, no como un camino extenso.

Paso 3: Colocación del Controlador de Puerta

Acción: Coloque el CI del controlador de puerta inmediatamente al lado del interruptor de SiC.
Parámetro Clave: Longitud de la traza de puerta < 20mm.
Verificación de Aceptación: Verifique que la salida del controlador de puerta y la ruta de retorno de la fuente Kelvin corran paralelas entre sí (enrutamiento de par diferencial).

Paso 4: Definición del Plano de Potencia

Acción: Defina grandes vertidos de cobre para los rieles de CC+ y CC-. Evite las trazas delgadas para las rutas de potencia.
Parámetro clave: Densidad de corriente < 30 A/mm² (para control del aumento de temperatura).
Verificación de aceptación: Use una calculadora para verificar el ancho de la pista frente a la capacidad de corriente.

Paso 5: Unión de Vías Térmicas

Acción: Coloque una cuadrícula de vías térmicas debajo de las almohadillas expuestas de los dispositivos SiC.
Parámetro clave: Tamaño del orificio de 0.3mm, paso de 1.0mm, chapadas o cubiertas si lo requiere el ensamblaje.
Verificación de aceptación: Asegúrese de que las vías se conecten a grandes planos de cobre internos o inferiores para la disipación de calor.

Paso 6: Cortes de Aislamiento de Alta Tensión

Acción: Añada zonas de exclusión de enrutamiento y ranuras físicas (fresado) entre nodos de alta tensión si la distancia de fuga en la superficie es insuficiente.
Parámetro clave: Un ancho de ranura > 1mm suele añadir un margen de fuga significativo.
Verificación de aceptación: Realice una verificación de holgura 3D en su software CAD.

Paso 7: Extracción y Simulación de Parásitos

Acción: Si están disponibles, use herramientas de simulación para extraer la inductancia de bucle.
Parámetro clave: Inductancia de bucle total < 10nH.
Verificación de aceptación: Si la inductancia es alta, acerque los condensadores o use un enfoque de barra colectora laminada dentro de las capas de la PCB.

Paso 8: Revisión de DFM y Ensamblaje

Acción: Verifique la presencia de trampas de ácido, astillas y puentes de máscara de soldadura.
Parámetro clave: Ancho mínimo de presa de soldadura (normalmente 4 mils).
Verificación de aceptación: Suba los archivos a un visor Gerber para verificar que los datos de fabricación finales coincidan con la intención del diseño.

Modos de fallo y resolución de problemas

Incluso con un diseño cuidadoso de la placa rectificadora de SiC, pueden surgir problemas durante las pruebas. Las altas velocidades de conmutación del SiC exponen debilidades que el silicio estándar ocultaría.

1. Sobretensión excesiva (Ringing)

Síntoma: Los picos de tensión a través del dispositivo SiC exceden la tensión nominal de ruptura durante el apagado.
Causas: Alta inductancia parasitaria en el bucle de potencia; desacoplamiento insuficiente.
Comprobaciones: Mida la distancia entre el condensador del enlace de CC y el interruptor. Compruebe si hay trazas largas y delgadas en la trayectoria de potencia.
Solución: Añada condensadores snubber cerámicos de alta frecuencia (C0G/NP0) directamente a través de los pines del dispositivo SiC.
Prevención: Rediseñe el diseño para minimizar el área física del bucle de conmutación.

2. Encendido falso (Efecto Miller)

Síntoma: Corriente de cortocircuito; sobrecalentamiento del dispositivo; conducción inesperada.
Causas: Acoplamiento de dV/dt alto a través de la capacitancia Miller ($C_{gd}$) eleva la tensión de puerta. Alta inductancia en la trayectoria de retorno de la puerta.
Comprobaciones: Verifique si se utiliza una abrazadera Miller activa. Compruebe la impedancia de la traza de la puerta.
Solución: Utilice una tensión de accionamiento de puerta negativa (p. ej., -4V o -5V) para proporcionar margen. Reduzca la resistencia de puerta ($R_g$).
Prevención: Utilice estrictamente conexiones de fuente Kelvin. Mantenga el controlador de puerta extremadamente cerca del dispositivo.

3. Fallo de EMI / EMC

Síntoma: Fallo en las pruebas de emisiones radiadas o conducidas.
Causas: Grandes bucles de conmutación que actúan como antenas; flancos de conmutación rápidos (alto dV/dt) que generan ruido de alta frecuencia.
Comprobaciones: Identificar los nodos "calientes" (nodos con alto dV/dt) y verificar su área de superficie.
Solución: Añadir blindajes; reducir la velocidad de conmutación (aumentar $R_g$) a costa de la eficiencia; añadir choques de modo común.
Prevención: Minimizar el área de cobre de los nodos de alto dV/dt (nodos conmutados) manteniendo la capacidad de corriente. Usar planos de tierra internos como blindajes.

4. Fuga térmica

Síntoma: La temperatura del dispositivo aumenta incontrolablemente hasta su destrucción.
Causas: Interfaz térmica deficiente; peso de cobre insuficiente; falta de vías térmicas.
Comprobaciones: Inspeccionar los huecos de soldadura en la almohadilla térmica (rayos X). Verificar la conectividad de las vías térmicas.
Solución: Mejorar la refrigeración (disipador de calor, ventilador).
Prevención: Usar cobre de 2oz o 3oz. Maximizar el número de vías térmicas. Asegurarse de que el proceso de ensamblaje de PCB logre <25% de huecos en almohadillas grandes.

5. Ruptura del óxido de puerta

Síntoma: Cortocircuito permanente entre la puerta y la fuente.
Causas: Picos de voltaje en la puerta inducidos por el acoplamiento del bucle de potencia o ESD.
Comprobaciones: Verificar la presencia de diodos Zener que protejan la puerta.
Solución: Instalar diodos TVS bidireccionales cerca de los pines de puerta-fuente.
Prevención: Acoplamiento estrecho de las trazas de puerta y fuente (enrutamiento diferencial) para rechazar el ruido inducido.

6. Fatiga de la unión de soldadura

Síntoma: Operación intermitente o circuitos abiertos después de ciclos térmicos.
Causas: Desajuste del CTE (Coeficiente de Expansión Térmica) entre el encapsulado cerámico de SiC y la PCB FR4.
Verificaciones: Inspeccionar las uniones en busca de grietas.
Solución: Usar underfill o aleaciones de soldadura flexibles.
Prevención: Elegir materiales de PCB con un CTE más cercano al componente, o usar encapsulados con terminales para aliviar el estrés.

Decisiones de diseño

Al planificar el diseño de una placa rectificadora de SiC, se deben tomar varias decisiones estratégicas al principio del proceso. Estas elecciones dictan el costo, el rendimiento y la capacidad de fabricación de la placa final.

Selección de materiales: FR4 vs. Sustratos especializados El FR4 estándar es rentable pero tiene limitaciones en la conductividad térmica y la pérdida de alta frecuencia. Para aplicaciones de SiC de alta potencia, los ingenieros a menudo consideran:

FR4 de alta Tg: Esencial para soldadura sin plomo y altas temperaturas de funcionamiento.
Sustratos cerámicos (DBC): Utilizados para módulos de potencia extremadamente alta, ofreciendo un rendimiento térmico superior pero a un costo mucho mayor.
PCB de núcleo metálico (MCPCB): Excelente para la disipación de calor, pero generalmente limitado al enrutamiento de una sola capa, lo que dificulta un diseño de baja inductancia.
Guía de decisión: Utilice FR4 de alta Tg con cobre pesado para la mayoría de los diseños de <10kW. Considere IMS/MCPCB solo si la topología permite un enrutamiento simple.

Espesor del cobre: 1oz vs. Cobre pesado Los dispositivos de SiC son pequeños pero manejan una potencia masiva.

1oz (35µm): Generalmente insuficiente para la ruta de alimentación principal en diseños de SiC, a menos que las trazas sean extremadamente anchas.
2oz - 3oz (70µm - 105µm): El estándar para la electrónica de potencia. Permite trazas más estrechas (reduciendo la inductancia) mientras maneja la corriente.
Guía de decisión: Comience con cobre de 2oz. Si la simulación térmica muestra puntos calientes, pase a 3oz o agregue barras colectoras.

Acabado de Superficie

HASL (Hot Air Solder Leveling): No recomendado para encapsulados SiC de paso fino debido a superficies irregulares.
ENIG (Electroless Nickel Immersion Gold): Excelente planitud, bueno para unión de cables (wire bonding) y paso fino.
Immersion Silver: Buena conductividad pero sensible al deslustre.
Guía de decisión: Elija ENIG para el mejor equilibrio entre planitud, soldabilidad y fiabilidad en placas SiC de alto valor.

Topología de Accionamiento de Puerta

Unipolar (0V a 15V): Más simple, pero conlleva riesgos de encendido falso debido al efecto Miller.
Bipolar (-4V a 15V): Requiere una fuente de alimentación más compleja pero proporciona una inmunidad robusta contra el disparo falso.
Guía de decisión: Utilice siempre accionamiento de puerta Bipolar para diseños SiC >600V o topologías de conmutación dura.

Preguntas Frecuentes

P: ¿Por qué la inductancia de bucle es más crítica en SiC que en los IGBT de silicio? R: Los dispositivos SiC conmutan de 10 a 100 veces más rápido que los IGBT. El pico de voltaje generado es proporcional a la velocidad de conmutación ($di/dt$). Incluso 10nH de inductancia pueden generar picos de voltaje destructivos a velocidades de SiC, mientras que un IGBT podría tolerarlo.

El $di/dt$ de SiC puede superar los 3000 A/µs.
El $di/dt$ de IGBT es típicamente < 500 A/µs.

P: ¿Puedo usar FR4 estándar para placas rectificadoras de SiC? R: Sí, pero con salvedades. Debe usar FR4 de alta Tg (Tg > 170°C) para soportar las temperaturas de funcionamiento más altas. Para voltajes >1000V, preste mucha atención a la clasificación CTI del laminado para evitar el seguimiento.

P: ¿Qué es la conexión Kelvin y por qué es obligatoria? R: Una conexión Kelvin separa la ruta de alimentación de alta corriente de la ruta de control sensible (puerta).

Evita que la caída de voltaje a través de la inductancia de la fuente se reste del voltaje de la unidad de puerta.
Sin ella, la conmutación se ralentiza y se produce oscilación.

P: ¿Cómo manejo el calor si el dispositivo SiC es de montaje superficial (SMD)? R: Debe depender de la PCB para la refrigeración.

Utilice una densa matriz de vías térmicas (orificio de 0.3mm, paso de 1mm) debajo de la almohadilla térmica.
Conecte estas vías a grandes planos de cobre en las capas internas e inferiores.
Fije un disipador de calor a la parte inferior de la PCB utilizando un material de interfaz térmica (TIM).

P: ¿Cuál es el ancho de traza de puerta recomendado? R: Si bien la corriente promedio de la puerta es baja, la corriente pico es alta (a menudo 2A–5A).

Utilice trazas de al menos 20 mils (0.5mm) de ancho.
Mantenga la longitud por debajo de 20mm.
Minimice las vías en la ruta de la puerta (las vías añaden inductancia).

P: ¿Debo usar un plano de tierra para diseños de SiC? R: Sí, pero tenga cuidado.

No coloque un plano de tierra directamente debajo del nodo de conmutación de alto voltaje (drenador/colector) si es posible, ya que esto crea capacitancia parásita ($C_{oss}$) que aumenta las pérdidas de conmutación.
Sí use planos de tierra debajo de los circuitos de control de bajo voltaje para protegerlos del ruido.

P: ¿Cómo garantiza APTPCB la fiabilidad de las placas de SiC? R: Utilizamos inspección óptica automatizada (AOI) y pruebas eléctricas (E-testing) para verificar la conectividad. Para placas de alto voltaje, podemos realizar comprobaciones específicas de control de impedancia y asegurar que las especificaciones del material (como la adhesión de cobre pesado) cumplan con los estándares IPC Clase 2 o 3.

P: ¿Cuál es el impacto de las "trampas de ácido" en los diseños de alto voltaje? R: Las trampas de ácido (ángulos agudos en las pistas) pueden retener el grabado, causando corrosión con el tiempo. En las placas de SiC de alto voltaje, esta corrosión puede provocar circuitos abiertos o, peor aún, crear un camino para el arco eléctrico. Utilice siempre ángulos de 45 grados, nunca de 90 grados o agudos.

P: ¿Cómo calculo la distancia de fuga (creepage) requerida para SiC de 1200V? R: Consulte la norma IPC-2221B.

Para conductores externos sin recubrimiento: ~6mm a 10mm dependiendo del grado de contaminación.
El uso de una ranura (fresado) entre las almohadillas puede aumentar eficazmente la distancia de fuga sin separar más los componentes.

P: ¿Cuál es la mejor manera de probar una placa prototipo de SiC? R: Comience con bajo voltaje (por ejemplo, 50V) y verifique las señales de puerta.

Utilice un osciloscopio de alto ancho de banda (>500MHz) y sondas diferenciales de alto voltaje.
Las sondas pasivas estándar cargarán el circuito y producirán formas de onda falsas.
Aumente lentamente el voltaje del bus mientras monitorea la oscilación.

Glosario (términos clave)

Término	Definición
SiC (Carburo de Silicio)	Un material semiconductor de banda prohibida ancha que permite voltajes, temperaturas y frecuencias de conmutación más altas que el Silicio.
Inductancia Parasitaria	Inductancia no deseada inherente en las pistas de PCB y los terminales de los componentes que se opone al cambio de corriente.
dV/dt	La tasa de cambio de voltaje con respecto al tiempo. Un dV/dt alto en SiC causa acoplamiento de ruido e EMI.
di/dt	La tasa de cambio de corriente con respecto al tiempo. Un di/dt alto genera picos de voltaje a través de las inductancias.
Conexión Kelvin	Una técnica de diseño que utiliza pares de contactos separados para la conducción de corriente y la detección de voltaje (o activación) para eliminar interferencias.
Efecto Miller	El aumento de la capacitancia de entrada equivalente debido a la amplificación de la capacitancia entre los terminales de entrada y salida ($C_{gd}$).
Área de Bucle	El área física encerrada por la trayectoria de la corriente. Mayor área = mayor inductancia = peor rendimiento.
Distancia de Fuga	La distancia más corta entre dos partes conductoras a lo largo de la superficie del material aislante.
Distancia de Aislamiento	La distancia más corta entre dos partes conductoras a través del aire.
CTI (Índice de Seguimiento Comparativo)	Una medida de las propiedades de ruptura eléctrica (seguimiento) de un material aislante.
Vía Térmica	Un orificio chapado utilizado específicamente para conducir el calor de una capa de la PCB a otra, en lugar de solo señales eléctricas.
Bucle de Conmutación	La trayectoria que toma la corriente durante la transición de la conducción del interruptor a la conducción del diodo (y viceversa).

Conclusión

Diseñar un diseño de placa rectificadora de SiC es un acto de equilibrio entre minimizar la inductancia parasitaria, gestionar cargas térmicas intensas y cumplir con las normas de seguridad de alta tensión. La diferencia entre un módulo de potencia fiable y un prototipo fallido a menudo reside en los detalles: la estrechez del bucle de conmutación, la simetría del enrutamiento y la calidad del sustrato de la PCB.

Siguiendo las especificaciones y los pasos de resolución de problemas descritos anteriormente, podrá aprovechar todo el potencial de la tecnología de Carburo de Silicio. Cuando esté listo para convertir su diseño en una realidad física, APTPCB está listo para ayudarle. Nuestras capacidades de fabricación están optimizadas para los requisitos de cobre pesado, alta Tg y tolerancia de precisión de la electrónica de potencia moderna.

Envíe sus archivos Gerber hoy mismo para una revisión DFM exhaustiva y asegúrese de que su diseño de SiC está construido para rendir.