LDMOS amplificateur de puissance (PA)

• Définition: Un PCB LDMOS PA est une carte de circuit imprimé spécialisée conçue pour supporter les transistors à semi-conducteurs à oxyde métallique à diffusion latérale (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), principalement utilisés dans l'amplification RF de haute puissance pour les stations de base et les radars.
• Criticité Thermique: Contrairement aux cartes logiques standard, le mode de défaillance principal pour les applications LDMOS est l'emballement thermique ; des stratégies efficaces de dissipation de la chaleur (pièces de cuivre, réseaux de vias) sont non négociables.
• Hiérarchie des Matériaux: Bien que le FR4 soit bon marché, les conceptions LDMOS nécessitent presque exclusivement des stratifiés haute fréquence (comme Rogers ou Taconic) ou des empilements hybrides pour maintenir l'intégrité du signal.
• Mise à la Terre: La mise à la terre de la source est critique pour les performances RF ; le processus de fabrication du PCB doit assurer des chemins à très faible inductance vers le plan de masse.
• Validation: Les tests électriques standard sont insuffisants ; des tests d'intermodulation passive (PIM) et des cycles thermiques sont nécessaires pour valider la liaison entre la bride LDMOS et le PCB.
• Contexte LSI: Alors que les technologies GaN PA PCB et GaAs PA PCB gagnent du terrain pour les fréquences plus élevées, LDMOS reste le choix dominant et rentable pour les applications de haute puissance inférieures à 4 GHz.
• Précision de Fabrication: La tolérance pour la gravure de la largeur de piste dans les conceptions LDMOS est souvent plus stricte que +/- 0,5 mil en raison des exigences d'adaptation d'impédance.

Ce que LDMOS amplificateur de puissance (PA) PCB signifie réellement (portée et limites)

En s'appuyant sur la définition de base, la compréhension d'une carte de circuit imprimé LDMOS PA nécessite de regarder au-delà du composant lui-même et de considérer la carte comme une partie intégrante du système thermique et électrique. La technologie LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) est le cheval de bataille de l'industrie de la puissance RF depuis des décennies, en particulier dans les infrastructures cellulaires (4G/LTE et 5G sub-6GHz), les émetteurs de diffusion et les systèmes radar en bande L.

Lorsque nous discutons de la carte de circuit imprimé pour ces amplificateurs, nous ne parlons pas d'une simple carte porteuse. La carte de circuit imprimé agit comme l'interface principale du dissipateur thermique et le réseau d'adaptation critique pour le signal RF. Les dispositifs LDMOS fonctionnent généralement avec des rendements de drain compris entre 50 % et 70 %. Cela signifie que pour un signal de sortie de 100 W, le dispositif pourrait générer 40 W à 100 W de chaleur perdue. Si la carte de circuit imprimé ne peut pas évacuer immédiatement cette chaleur de la bride du transistor, la température de jonction augmentera, la linéarité se dégradera et le dispositif finira par tomber en panne.

De plus, l'aspect "PA" (Amplificateur de Puissance) dicte que la carte doit gérer simultanément des courants élevés et des tensions élevées. La tension de claquage diélectrique du matériau devient un facteur de sécurité. Contrairement aux conceptions de cartes de circuit imprimé GaAs PA de faible puissance utilisées dans les téléphones mobiles, ou aux conceptions de cartes de circuit imprimé GaN PA haute fréquence utilisées dans les communications par satellite, les cartes LDMOS occupent un créneau spécifique : haute puissance, moyenne fréquence (HF à ~3,5 GHz) et exigences de linéarité élevées. Chez APTPCB (Usine de PCB APTPCB), nous constatons que la complexité de fabrication réside dans la nature hybride de ces cartes. Les concepteurs combinent souvent des stratifiés haute fréquence (pour le chemin du signal RF) avec du FR4 standard (pour la logique de commande et les lignes de polarisation CC) afin de gérer les coûts. Cela crée un "empilement hybride" qui présente des défis uniques lors de la stratification en raison des différents taux de dilatation thermique des matériaux.

LDMOS amplificateur de puissance (PA) (comment évaluer la qualité)

Pour garantir que la carte peut supporter les exigences rigoureuses des signaux RF de haute puissance, nous devons passer des définitions générales à des métriques quantifiables. Le tableau suivant présente les propriétés physiques et électriques spécifiques qui définissent la qualité d'un PCB LDMOS PA.

Métrique	Pourquoi c'est important	Plage typique ou facteurs d'influence	Comment mesurer
Conductivité thermique (k)	Détermine la vitesse à laquelle la chaleur se déplace de la bride LDMOS à travers le PCB vers le dissipateur thermique. Un 'k' faible entraîne des points chauds.	0,5 W/mK (FR4) à 390 W/mK (Cuivre). Les diélectriques haute performance varient de 0,6 à 1,3 W/mK.	Analyse flash laser (LFA) ou calorimètre à flux thermique en régime permanent.
Constante diélectrique (Dk)	Dicte la largeur des lignes de transmission pour une impédance spécifique. La stabilité de Dk sur la fréquence est cruciale pour les réseaux d'adaptation.	2,2 à 10,2. Les matériaux RF courants sont de 3,0 à 3,66. Une tolérance plus stricte (+/- 0,05) est préférable.	Méthode du résonateur diélectrique à poteau fendu (SPDR).
Facteur de Dissipation (Df)	Représente la perte de signal sous forme de chaleur dans le diélectrique. Un Df élevé réduit l'efficacité des PA de haute puissance.	0,001 à 0,004 pour les matériaux RF. Le FR4 standard est de 0,020 (trop élevé pour les chemins RF).	Méthode de perturbation de cavité.
Coefficient de Dilatation Thermique (CTE-z)	Si le PCB se dilate plus rapidement que le barillet du via en cuivre pendant le chauffage, les vias se fissureront (circuit ouvert).	20-70 ppm/°C. Une valeur plus basse est meilleure pour la fiabilité, surtout pour les cartes épaisses.	Analyse Thermomécanique (TMA).
Résistance au Décollement	Une puissance élevée génère de la chaleur, ce qui peut délaminer les pistes de cuivre. Les broches LDMOS exercent un stress physique.	> 0,8 N/mm (standard), mais > 1,4 N/mm est préféré pour les cartes PA à haute fiabilité.	Test de décollement à 90 degrés.
Rugosité de Surface	Aux fréquences RF, le courant circule sur la "peau" du cuivre. Le cuivre rugueux augmente la résistance et les pertes.	0,5 µm à 2,0 µm. Le cuivre "traité inversé" ou "à très faible profil" (VLP) est préféré.	Profilomètre ou coupe transversale MEB.
Température de Transition Vitreuse (Tg)	La température à laquelle la résine du PCB devient molle. Les cartes LDMOS chauffent, nécessitant une Tg élevée pour éviter les défaillances mécaniques.	> 170°C (Tg élevée) est standard pour les applications PA.	DSC (Calorimétrie Différentielle à Balayage).

LDMOS amplificateur de puissance (PA) : guide de sélection par scénario (compromis)

Comprendre les métriques permet aux ingénieurs de sélectionner la bonne architecture de PCB, mais le "meilleur" choix dépend entièrement du scénario d'application spécifique. Voici six scénarios courants pour l'implémentation de PCB LDMOS PA et les compromis recommandés pour chacun.

Scénario 1 : Station de base haute puissance (Macro Cellule)

• Exigence : Haute puissance continue (100W+), fonctionnement 24h/24 et 7j/7, durée de vie de 10 ans.
• Recommandation : PCB avec pièce de cuivre intégrée.
• Compromis : C'est l'option de fabrication la plus coûteuse. Elle implique l'intégration d'un plot de cuivre massif directement dans le PCB sous le composant LDMOS.
• Pourquoi : Les vias thermiques sont insuffisants pour cette densité de puissance. La pièce de cuivre fournit un chemin thermique direct vers le châssis.
• Risque : Si la pièce n'est pas parfaitement plane avec la surface du PCB, le brasage du composant LDMOS échouera (vides).

Scénario 2 : Émetteur de diffusion sensible aux coûts

• Exigence : Puissance moyenne, basse fréquence (FM/VHF), budget serré.
• Recommandation : Empilement hybride (FR4 + Rogers) avec vias thermiques.
• Compromis : Processus de stratification plus complexe que le FR4 pur, mais moins cher qu'une carte entièrement en matériau RF.
• Pourquoi : Vous n'utilisez le matériau RF coûteux que sur la couche supérieure où le signal circule. Les couches inférieures (alimentation/contrôle) utilisent du FR4 bon marché.
• Risque : Déformation. Le déséquilibre du CTE entre le FR4 et le Rogers peut faire plier la carte pendant le refusion si l'empilement n'est pas équilibré.

Scénario 3: Radar haute fréquence (bande S)

• Exigence: Signaux pulsés, contrôle précis de l'impédance, faibles pertes.
• Recommandation: PTFE chargé de céramique (par exemple, série Rogers RO3000).
• Compromis: Le matériau est mou et difficile à usiner. La stabilité dimensionnelle est délicate.
• Pourquoi: Le PTFE offre les pertes (Df) les plus faibles possibles et une constante diélectrique (Dk) stable.
• Risque: "Bavure" lors du perçage. Le matériau mou peut s'étaler sur les connexions en cuivre si les vitesses de perçage ne sont pas optimisées.
• Lien interne: Consultez nos capacités en Fabrication de PCB haute fréquence pour plus de détails sur la manipulation du PTFE.

Scénario 4: Prototype / Preuve de concept

• Exigence: Délai d'exécution rapide, validation de la conception électrique uniquement.
• Recommandation: Rogers 4350B standard (double face).
• Compromis: Pas de fonctionnalités multicouches complexes. Gestion thermique limitée (juste des vias).
• Pourquoi: Le 4350B se traite comme le FR4, ce qui le rend rapide et peu coûteux à fabriquer pour des tests rapides.
• Risque: Ne peut pas fonctionner à pleine puissance pendant de longues périodes sans un dissipateur thermique externe.

Scénario 5: Petite cellule à encombrement réduit

• Exigence: Haute densité, systèmes d'antennes actives (AAS).
• Recommandation: HDI (High Density Interconnect) avec vias borgnes/enterrés.
• Compromis: Coût de fabrication et complexité élevés.
• Pourquoi: Vous devez acheminer des lignes de polarisation et de contrôle complexes dans un petit encombrement tout en gardant le chemin RF propre.
• Risque : Diaphonie de signal. Avec des lignes plus rapprochées, l'isolation entre la sortie et l'entrée de l'amplificateur de puissance (PA) devient critique pour prévenir l'oscillation.

Scénario 6 : Remplacement d'anciens systèmes (Maintenance 2G/3G)

• Exigence : Correspondance des spécifications obsolètes, remplacement direct.
• Recommandation : Rétro-ingénierie / Substitution de matériaux.
• Compromis : Les matériaux d'origine peuvent être abandonnés.
• Pourquoi : Les matériaux modernes ont souvent des valeurs de Dk différentes de celles des matériaux d'il y a 20 ans. Vous devrez peut-être ajuster les largeurs de piste pour correspondre à l'impédance d'origine.
• Risque : Dérive de performance. La nouvelle carte pourrait être "trop bonne" (moins de pertes), modifiant le profil de gain de l'amplificateur.

LDMOS amplificateur de puissance (PA) (de la conception à la fabrication)

Une fois l'architecture sélectionnée, la transition d'un fichier CAO à une carte physique est l'endroit où la plupart des défaillances se produisent. Cette section décrit les points de contrôle critiques dans le processus de fabrication d'un PCB LDMOS PA.

1. Approvisionnement et stockage des matériaux

• Point de contrôle : Vérifier le lot de stratifié spécifique.
• Recommandation : Pour les applications d'amplificateurs de puissance (PA) haut de gamme, demander des matériaux "triés par Dk" où le fabricant garantit que la constante diélectrique est dans une tolérance plus stricte que la norme.
• Risque : Les matériaux RF sont hygroscopiques (absorbent l'humidité). S'ils ne sont pas stockés sous vide, ils se délamineront pendant la refusion.
• Acceptation : Test de teneur en humidité avant la stratification.

2. Imagerie et gravure des couches internes

• Checkpoint: Précision de la largeur de trace.
• Recommendation: Utilisez l'imagerie directe laser (LDI) plutôt que le film traditionnel. Les réseaux d'adaptation LDMOS dépendent de largeurs/longueurs de ligne précises pour la transformation d'impédance.
• Risk: Le sur-gravage augmente l'impédance ; le sous-gravage la diminue. Une erreur de 1 mil peut décaler la réponse en fréquence de plusieurs MHz.
• Acceptance: Inspection optique automatisée (AOI) avec des réglages de tolérance stricts (+/- 10%).

3. Stratification hybride (Collage)

• Checkpoint: Collage de différents matériaux (par exemple, PTFE sur FR4).
• Recommendation: Utilisez un "bond ply" ou un préimprégné spécifique conçu pour des matériaux dissemblables. Le cycle de pressage (montée en température et refroidissement) doit être personnalisé pour minimiser les contraintes.
• Risk: Délaminage ou erreurs d'enregistrement (décalage des couches) dues à des taux de dilatation différents.
• Acceptance: Analyse en microsection pour vérifier l'intégrité de la ligne de collage.
• Internal Link: Apprenez-en davantage sur les empilements complexes dans notre guide Empilement de PCB.

4. Perçage et formation de vias

• Checkpoint: Vias de masse près de la source LDMOS.
• Recommendation: Utilisez une "ferme de vias" (réseau dense de vias) directement sous le pad de masse du composant.
• Risk: Si le foret est émoussé, il crée des parois de trou rugueuses, entraînant un mauvais placage et une inductance élevée.
• Acceptance: Vérification par coupe transversale de la qualité des parois du trou.

5. Insertion de pièce de cuivre (le cas échéant)

• Point de contrôle : Intégration de la pièce par ajustement serré ou collage.
• Recommandation : La pièce doit être plaquée pour assurer une surface soudable. La transition de la surface du PCB à la surface de la pièce doit être inférieure à 50 microns (planéité).
• Risque : Si la pièce est trop haute, le composant bascule ; si elle est trop basse, des vides de soudure se forment.
• Acceptation : Balayage par profilométrie 3D de la planéité de la surface.

6. Placage (Finition de surface)

• Point de contrôle : Conductivité et protection contre l'oxydation.
• Recommandation : Argent par immersion ou ENIG (Nickel Chimique Or par Immersion). L'argent est préféré pour la RF car il ne contient pas de nickel (le nickel est ferromagnétique et peut provoquer une intermodulation passive/PIM).
• Risque : Le HASL (Nivellement à l'air chaud de la soudure) est trop irrégulier pour les composants LDMOS.
• Acceptation : Fluorescence X (XRF) pour mesurer l'épaisseur du placage.

7. Application du masque de soudure

• Point de contrôle : Couverture des zones non critiques.
• Recommandation : Garder le masque de soudure hors des lignes de transmission RF si possible. Le masque de soudure ajoute une couche diélectrique qui est sujette à des pertes et difficile à contrôler.
• Risque : L'application du masque sur les lignes RF modifie l'impédance (la réduit généralement de 2-3 ohms) et augmente les pertes.
• Acceptation : Inspection visuelle par rapport aux couches "keep-out" Gerber.

8. Routage et profilage

• Point de contrôle : Qualité des bords.
• Recommandation : Les bords de la carte doivent être lisses et exempts de bavures de cuivre.
• Risque : Les bavures de cuivre sur le bord peuvent provoquer des arcs électriques dans les applications haute puissance/haute tension.
• Acceptation : Inspection visuelle.

9. Tests électriques et thermiques

• Point de contrôle : Validation finale.
• Recommandation : Au-delà des tests d'ouverture/court-circuit, effectuer des tests TDR (réflectométrie dans le domaine temporel) pour l'impédance et des tests Hi-Pot pour la rigidité diélectrique.
• Risque : Une carte qui passe le test de continuité peut toujours échouer à 2 GHz en raison de désadaptations d'impédance.
• Acceptation : Rapport TDR et Certificat de Conformité (CoC).

LDMOS amplificateur de puissance (PA) (et l'approche correcte)

Même avec un processus robuste, des erreurs spécifiques affligent fréquemment les projets de PCB LDMOS PA. Les identifier tôt peut faire gagner des semaines de temps de révision.

1. Ignorer l'"effet de peau" sur la finition de surface :

   • Erreur : Utilisation de l'ENIG pour des conceptions LDMOS à très haute puissance et haute fréquence.
   • Correction : Bien que l'ENIG soit plat et fiable, la couche de nickel est magnétique et présente une résistance plus élevée. Aux fréquences RF, le courant circule dans cette couche de nickel, augmentant les pertes. Utilisez de l'argent d'immersion ou de l'ENEPIG (si conçu correctement) pour les PA sensibles.

2. Mise à la terre inadéquate de la source :

   • Erreur : Connexion du pad de source LDMOS à la masse en utilisant seulement quelques vias thermiques.
   • Correction : L'inductance de la source doit être minimisée pour maintenir le gain. Utilisez le nombre maximal de vias possible (ferme de vias) ou une pièce de cuivre. L'inductance d'un via n'est pas négligeable aux fréquences GHz.

3. Négliger le déséquilibre du CTE dans les cartes hybrides :

   • Erreur : Concevoir un empilement avec du Rogers en haut et du FR4 en bas sans équilibrer la densité de cuivre.
   • Correction : Assurez-vous que l'empilement est symétrique en termes de poids de cuivre et d'épaisseur diélectrique, lorsque cela est possible, pour éviter l'effet de déformation en "chips de pomme de terre" pendant le refusion.

4. Placer le masque de soudure sur le chemin RF :

   • Erreur : Couvrir entièrement les pistes d'entrée/sortie RF avec du masque de soudure pour la protection.
   • Correction : Utilisez des pastilles "définies par le masque de soudure" uniquement si nécessaire. Laissez les pistes RF nues (ou plaquées) ou tenez compte du Dk du masque dans la simulation. Le masque ajoute une capacité imprévisible.

5. Négliger le bouchage des vias thermiques :

   • Erreur : Laisser les vias thermiques sous le composant ouverts (non bouchés).
   • Correction : La soudure s'infiltrera dans les vias ouverts pendant la refusion, laissant la bride LDMOS "privée" de soudure. Cela crée des vides et entraîne une défaillance thermique. Utilisez toujours des vias bouchés ou remplis et plaqués (VIPPO) pour les pastilles sous les composants.
   • Lien interne : Consultez nos directives sur les Directives DFM pour comprendre les options de bouchage des vias.

6. Spécification incorrecte du poids de cuivre :

   • Erreur : Utiliser du cuivre standard de 1 oz pour les lignes de drain à courant élevé.

• Correction : Calculez la densité de courant. Les drains LDMOS peuvent tirer des ampères significatifs. Utilisez du cuivre de 2oz ou 3oz pour les lignes d'alimentation CC afin de minimiser la chute de tension et l'échauffement résistif.

l'isolation entre la sortie et l'entrée de l'amplificateur de puissance (PA) (Constante diélectrique (DK)/Facteur de Dissipation (DF))

Q : Puis-je utiliser du GaN sur une conception de PCB LDMOS PA ? R : Généralement, non. Les conceptions de PCB GaN PA nécessitent généralement des tensions de polarisation différentes (tension de grille négative) et fonctionnent souvent à des impédances et des fréquences plus élevées. Bien que l'empreinte puisse sembler similaire, les réseaux d'adaptation thermique et électrique sont différents.

Q : Pourquoi l'argent par immersion est-il préféré à l'ENIG pour les LDMOS ? R : L'argent par immersion a une conductivité plus élevée et ne possède pas la couche de nickel magnétique présente dans l'ENIG. Cela se traduit par une perte d'insertion plus faible et une meilleure performance PIM (Intermodulation Passive), ce qui est essentiel pour les stations de base cellulaires modernes.

Q : Quelle est la différence entre une "pièce de cuivre" (Copper Coin) et du "cuivre épais" (Heavy Copper) ? R : Le cuivre épais fait référence à l'épaisseur de la feuille sur la couche (par exemple, 3oz ou 4oz). Une pièce de cuivre est un bloc solide de cuivre (plusieurs millimètres d'épaisseur) intégré dans la carte. Les pièces offrent un transfert thermique vertical supérieur par rapport aux couches de cuivre épais.

Q : Comment spécifier le "tissage" de la fibre de verre ? R : Pour les cartes LDMOS haute fréquence, l'effet de tissage du verre peut provoquer un décalage de signal. Vous devriez spécifier du "verre étalé" (par exemple, style 1067 ou 1078) plutôt que des tissages ouverts (comme 106 ou 7628) pour assurer un Dk constant sur la piste. Q: Quelle est la durée de conservation d'un PCB LDMOS avec argent chimique? R: L'argent chimique est sensible au ternissement (soufre). La durée de conservation est généralement de 6 à 12 mois s'il est conservé dans des sacs sous vide scellés avec un déshydratant et des cartes indicatrices d'humidité. Une fois ouvert, il doit être soudé dans les 24 heures.

Q: Ai-je besoin d'un contre-perçage pour les cartes LDMOS? R: Si votre conception utilise des vias traversants pour les transitions de signal (moins courant dans les PA, mais possible), le contre-perçage est essentiel pour retirer le «moignon» qui agit comme une antenne et provoque une réflexion du signal.

Q: Pourquoi APTPCB recommande-t-il le «cuivre factice» sur les cartes hybrides? R: Le cuivre factice (thieving) aide à équilibrer la distribution du cuivre sur les couches. Cela garantit une pression uniforme pendant la stratification et une épaisseur de placage uniforme, réduisant ainsi le risque de déformation et de torsion dans les constructions hybrides.

Q: Le «brasage par refusion» est-il nécessaire pour le LDMOS? R: Oui. La grande bride métallique au bas du boîtier LDMOS doit être soudée au plan de masse/pad de dissipateur thermique du PCB. Ce processus, souvent appelé brasage par refusion ou refusion de la bride, est le chemin thermique principal. Les vides ici sont catastrophiques.

LDMOS amplificateur de puissance (PA) (pages et outils connexes)

Pour vous aider dans votre processus de conception, APTPCB fournit plusieurs outils et ressources qui se rapportent directement à la conception de PCB LDMOS et RF :

• Calculateur d'impédance: Vérifiez la largeur de vos pistes par rapport à votre empilement avant de soumettre les fichiers.
• Bibliothèque de matériaux: Comparez le Dk et le Df des matériaux Rogers, Isola et Panasonic.
• Gerber Viewer: Vérifiez vos fichiers pour des erreurs telles que le masque de soudure sur les lignes RF.
• DFM Check: Soumettez votre conception pour une révision de fabricabilité afin de détecter les problèmes de vias thermiques précocement.

Glossaire LDMOS amplificateur de puissance (PA) PCB (termes clés)

Terme	Définition
P1dB	Le niveau de puissance de sortie où le gain de l'amplificateur chute de 1 dB par rapport à sa réponse linéaire. Une métrique clé pour la linéarité des PA.
IP3 (Third-Order Intercept)	Une mesure de la linéarité de l'amplificateur. Un IP3 plus élevé signifie moins de distorsion (intermodulation) entre les signaux.
VSWR (Voltage Standing Wave Ratio)	Une mesure de l'efficacité de la transmission de la puissance RF. Un VSWR élevé signifie que la puissance est réfléchie vers la source (mauvaise adaptation).
CTE (Coefficient of Thermal Expansion)	Le taux auquel un matériau se dilate lorsqu'il est chauffé. Un désaccord entre le cuivre et le diélectrique provoque des défaillances.
Tg (Glass Transition Temperature)	La température à laquelle le substrat de la carte de circuit imprimé passe d'un état dur et vitreux à un état mou et caoutchouteux.
Dk (Dielectric Constant)	Le rapport de la permittivité d'une substance à la permittivité de l'espace libre. Affecte la vitesse du signal et l'impédance.
Df (Dissipation Factor)	Une mesure du taux de perte de puissance de l'énergie électrique dans un matériau diélectrique (perte de signal).
Skin Effect	La tendance du courant alternatif à haute fréquence à se distribuer à l'intérieur du matériau conducteur de manière à ce que la densité de courant soit la plus élevée près de la surface.
PIM (Intermodulation Passive)	Signaux indésirables générés par le mélange non linéaire de 2 fréquences ou plus dans des dispositifs passifs (comme des connecteurs ou des pistes de PCB).
Ferme de Vias	Un groupe dense de vias utilisés pour conduire la chaleur ou le courant entre les couches, généralement placés sous un composant chaud.
VIPPO (Via-in-Pad Plated Over)	Une technologie où les vias sont placés dans le pad du composant, remplis d'époxy et plaqués pour créer une surface plane.
Empilement Hybride	Une superposition de PCB qui combine deux types différents de matériaux stratifiés (par exemple, FR4 et Rogers) pour équilibrer coût et performance.

LDMOS amplificateur de puissance (PA)

La conception et la fabrication d'un PCB LDMOS PA est un exercice d'équilibre entre la thermodynamique thermique et la physique RF. Cela nécessite un changement de mentalité, passant de la "connexion de broches" à la "gestion des champs et de la chaleur". Que vous construisiez un amplificateur de station de base massif ou un module radar spécialisé, le succès du projet dépend de l'intégrité du substrat du PCB, de la précision de la gravure et de la robustesse de la stratégie de gestion thermique.

Chez APTPCB, nous sommes spécialisés dans ces cartes RF haute fiabilité et haute puissance. Nous comprenons qu'un vide dans le joint de soudure ou une variation de la constante diélectrique peut faire la différence entre un émetteur fonctionnel et un système défaillant.

Prêt à passer en production ? Lors de la soumission de vos données pour un devis ou une révision DFM, veuillez vous assurer de fournir :

1. Fichiers Gerber (format RS-274X).
2. Dessin d'empilement spécifiant le matériau exact (par exemple, Rogers 4350B 20mil).
3. Tableau de perçage indiquant les trous plaqués vs. non plaqués.
4. Exigence de finition de surface (par exemple, Argent chimique).
5. Exigences d'impédance (par exemple, pistes de 50 ohms sur la couche 1).
6. Exigences spéciales (par exemple, insert en cuivre, fraisage ou bouchage de via spécifique).

Contactez notre équipe d'ingénieurs dès aujourd'hui pour vous assurer que vos conceptions LDMOS sont construites pour être performantes.

Related links

• Fabrication de PCB haute fréquence
• Empilement de PCB
• Directives DFM